美商亚德诺（Analog Devices Inc；ADI）日前发表结合了高电压硅芯片与次微米CMOS与互补双极等技术的新制程技术－－iCMOS，以及采用此新制程技术生产的15种模拟器件。ADI的工业用CMOS（iCMOS）制程可提升工厂自动化与流程控制等高电压应用效能，采用iCMOS制程制造的器件可耐受至30V电源，且可减少最高85％的功率消耗与30％的封装尺寸。

      iCMOS工业制程技术的推出使高效能模拟器件可操作在电子的噪音环境，而且不用像其它CMOS制程技术需要额外IC成本。透过次微米的芯片技术，iCMOS制程技术使装置能耐受30V的电压，还有扩充汲极的选项使操作电压可高达50V。此外，iCMOS可以从基板或彼此之间完全隔离器件，使一颗单芯片可以用16、24或30V CMOS电路混合匹配5V CMOS，以及多重电压源执行于相同的芯片上。

      ADI表示，基于iCMOS制程制造的模拟器件，能使工业设备开发者在次微米集成电路的空间中整合高速模拟与最新数字逻辑电路，例如ADI的iCMOS DAC可以结合放大器来驱动范围宽广的信号，省却外加分离式放大器芯片的需要；而采用ADI iCMOS工业制程生产的多任务器， 在16只脚的TSOP封装中，所具有的导通电阻只有3～4欧姆，减少的导通电阻平坦度为0.5欧姆，比工业标准导通电阻少了近85％，减少从切换制程导入信号的失真。

      再者，以ADI iCMOS为基础所生产模拟器件可在相同芯片上容纳多重电压，使设计者可快速将内存整合到可能需要后段制造配置的装置中，透过分配芯片内建内存作为数字校正，例如，ADC可快速且容易地调整积分非线性，偏移增益或其它参数。此外，ADI的iCMOS制程技术支持软件切换，藉以软件来定义输入电压范围，使工业用系统制造商可以将iCMOS单颗器件设计到多种产品上，根据每个应用改变输入电压范围，从而减少库存成本，简化生产设计。

      任职于ADI公司制程发展部门的ADI院士Denis DOYLE表示，在iCMOS发展之前，工业设计人员在针对成本或功率效率的优点来考虑一个模拟CMOS产品时，总是被迫要增加相当数量的信号调节、信号偏压与外部的运算放大器，来获取所需高速度与低功率消耗，以介接从致动器到传感器的高压工业系统，而在这些条件下，制造技术可处理30V的范围是在3.0微米到5.0微米之间，而且增加数字功能导致其生成令人无法接受的尺寸，iCMOS整合了更多信号链功能到占位面积更小的封装中，但却无损效能，使传统制程方法成为过去。

      ADI同时发表采用iCMOS制程技术表的产品，包括了：

      ‧ 四信道16位DAC：AD5764结合四个16位数字模拟转换器（DAC）在一颗单芯片中，减少50％尺寸。

      ‧ 真正双极输入的多信道ADC：13位的AD732x和12～16位的AD765x模拟数字转换器（ADC），允许+/-2。5 V到 +/-10 V宽广的输入范围，并具有软件可选择输入。

      ‧ 高精密运算放大器：AD8661轨至轨运算放大器具有从5V～16V宽广的动态操作电压，单电源操作，并具有低偏移电压，低输入偏压，而其封装只有同级竞争产品的三分之一。

      ‧ 高压开关与多任务器：支持+/-15 V信号，ADG12xx开关提供非常低的电容，而ADG14xx多任务器则大幅减少导通电阻。