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高端电力电子器件进口依赖严重

时间:2008/4/11 9:36:00  作者:  来源:ic72  浏览人数:883
 
 

      随着电力电子器件产业日益受到国家重视,国家对企业和科研机构的扶持力度也在逐渐增大。我国电力电子行业在科研和产业化不断取得突破的同时,也面临着诸多亟待克服的困难。

      电力电子器件技术直接关系到变流技术的发展与进步,是建设节约型社会和创新型国家的关键技术。近几年来,电力电子器件技术水平不断提高,应用领域日益广泛,逐渐成为了国民经济发展中基础性的支柱型产业之一。
  
      国家政策支持重点明确
  
      随着我国特高压直流输电、高压变频、交流传动机车/动车组、城市轨道交通等技术发展和市场需求的增加,对5英寸及6英寸晶闸管、IGCT(集成门极换流晶闸管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管)的需求非常紧迫,而且需求量也非常大。预计国内每年需要5英寸、6英寸晶闸管、IGCT、IGBT的总量将达到50万只以上。但目前国内市场所需的高端电力电子器件主要依赖进口。以IGBT为例,全球IGBT主要供应商集中在英飞凌、三菱、ABB、富士等少数几家,我国只有少数小功率IGBT的封装线,还不具备研发、制造管芯的能力和大功率IGBT的封装能力,因此在技术上受制于人,这对国民经济的健康发展与国家安全极其不利。
  
      为贯彻落实“十一五”高技术产业发展规划和信息产业发展规划,全面落实科学发展观,推进节能降耗,促进电力电子技术和产业的发展,根据国家发改委2007年发布的《关于组织实施新型电力电子器件产业化专项有关问题的通知》,国家将实施电力电子器件产业专项,提高新型电力电子器件技术和工艺水平,促进产业发展,满足市场需求,以技术进步和产业升级推进节能降耗;推动产、学、研、用相结合,突破核心基础器件发展的关键技术,完善电力电子产业链,促进具有自主知识产权的芯片和技术的推广应用;培育骨干企业,增强企业自主创新能力。支持的重点包括以下方面:在芯片产业化方面,主要支持IGBT、金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)、快恢复二极管(FRD)、功率集成电路(PIC)、IGCT等产品的芯片设计、制造、封装测试和模块组装;在模块产业化方面,主要支持电力电子器件系统集成模块,智能功率模块(IPM)和用户专用功率模块(ASPM);在应用装置产业化方面,重点围绕电机节能、照明节能、交通、电力、冶金等领域需求,支持应用具有自主知识产权芯片和技术的电力电子装置。
  
      中国企业迈向高端市场
  
      在产业政策支持和国民经济发展的推动作用下,我国电力电子产业化水平近年来有很大的提升。株洲南车时代电气股份有限公司一直致力于推动我国电力电子产业的发展,具备很强的技术创新能力。南车时代电气通过自主创新,掌握了具有自主知识产权的全压接技术,基于全压接技术开发的系列高压大功率电力电子器件入选了国家重点新产品。尤其是基于5英寸全压接技术,承担了科技部“十一五”科技支撑计划——特高压直流输电换流阀及6英寸晶闸管研发项目,并成功开发出了6英寸晶闸管。南车时代电气通过多年来的创新和积累,掌握了IGCT全套设计和制造技术,拉近了与国际先进水平的差距。同时,南车时代电气立足于IGBT应用技术,消化吸收国外先进技术,在大功率IGBT的可靠性研究和试验等关键技术上取得了突破,为IGBT的封装和芯片研究打下了较好的基础。

 

 
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