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安森美半导体推出IPD2工艺技术,用于便携电子设备中的射频(RF)系统级封装应用

时间:2010-5-28 11:34:00  作者:  来源:ic72.com  浏览人数:5802
 
 

      安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出新的集成无源元件(IPD)工艺技术——IPD2。这新工艺是公司增强既有的HighQ™硅铜(copper on silicon) IPD技术,第二层的铜层厚度仅为5微米(μm),增强了电感性能,提高了灵活性,配合设计高精度、高性价比的集成无源元件,用于便携电子设备中的射频(RF)系统级封装应用。

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      HighQ™ IPD2工艺是安森美半导体定制代工部众多创新制造服务之一,采用先进的8英寸晶圆技术,典型设计包括平衡/不平衡转换器(balun)、低通滤波器、带通滤波器和双工器,用于最新便携和无线应用。基于IPD2的设计为电路设计人员提供重要优势,如降低成本、减小厚度、小占位面积,以及更高性能(等同于延长电池使用时间)。

      安森美半导体为其IPD2工艺技术提供全功能设计工具和设计支援,以及快速的原型制造能力,帮助潜在用户快速和高性价比地评估,不管他们复杂度较低的分立或集成印制电路板(PCB)方案、较厚也较昂贵的陶瓷方案,还是基于更昂贵的砷化镓金(Gold on Gallium Arsenide)的IPD是否适合转换至IPD2工艺。

      安森美半导体定制代工部高级总监Rick Whitcomb说:“在高性价比、小尺寸和低插入损耗的平台上集成无源器件,能为电池供电便携电子产品设计人员提供极有用的方案。我们以全套设计工具和技术配合这新工艺,能够帮助客户以最短的时间和最大的信心,从效用相对较低的技术转换至我们的IPD2工艺。”

 
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