中芯国际与Saifun半导体日前共同宣布，中芯国际将采用Saifun的NROM技术研发生产闪存存储卡。
Saifun的NROM技术在非易失内存技术领域是一个突破。NROM技术将存储能力提高到每个基本存储单元四字节，是一般基本存储单元的两倍多。不仅如此，NROM技术简化了存储单元的器件模型，减少了生产步骤，降低了生产成本。
“闪存存储卡市场对于我们未来的发展而言是一个重要的驱动力，”中芯国际首席营运官Marco Mora表示，“在双方签署的第二份协议中，我们将Saifun先进的技术和中芯国际的高容量存储卡产品结合在一起，根据我们的核心优势积极关注产品的主要分销渠道。”
Saifun半导体公司总裁Kobi Rozengarten先生表示，“自从我们今年六月签定第一份技术转让协议以来，双方紧密合作，致力于为数字产品市场研发领先于市场的，基于NROM双字节和四字节技术的闪存存储器产品。随着市场对高容量卡产品的需求不断扩大，中芯国际先进的生产经验和Saifun创造性的NROM技术的结合，必将给双方公司带来更多的成长机会。” |
