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新兴技术---高密度集成电路刻蚀引线框架

时间:2005/5/6 12:23:00  作者:  来源:IC72  浏览人数:1665
 
 
研制单位:宁波集成电路元件厂
所在地区:上海市
成果水平:国内领先
 

    一、成果内容简介、关键技术、技术经济指标 “高密度集成电路刻蚀引线框架”是用化学蚀刻法制造的,其特点是线条细、间距小、制作周期短、符合大规模 IC框架多品种、小批量的要求,解决用模具无法制作的困难。 关健技术有侧向腐蚀的控制技术和高精度制版技术。 技术经济指标:①IC框架线条宽度最小0.16毫米,节距最小0.36毫米。②高密度 IC刻蚀引线框架制作技术达国内领先水平。③72 L-160 L产品已用于大规模及特种 IC的陶瓷、塑料封装中。

    二、经济、社会、环境效益及推广应用前景 该项目已为科研生产单位解决特种IC框架10万余片,萤光显示民间陈列产品5个系列,16个品种,获得税利12万元。该项目已用于各种高密度IC引线框架、混合IC外壳盖板、萤光显示屏陈列、栅网、高精度软包装IC电路板及金属工艺品、移用模板等等。

    三、成果转化的可行性 该工艺技术应用的品种规格从1994年的11种发展到1996年30种,数量从3万只发展到80万只,销售额从6万元增长到130万元,税利从1.2万元增长到16万元。 宁波集成电路元件厂已成为国内集成电路厂家,荧光显示屏厂商所需“框架”“陈列”等配件的供应基地。1996年月生产能力240平方厘米,经适度技改1997年月生产能力可达1000平方厘米。

 
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