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Elpida前高管认罪,承认参与共谋垄断DRAM价格

时间:2006/11/22 9:59:00  作者:  来源:ic72  浏览人数:1265
 
 

      美国司法部日前表示,在其正在调查的DRAM价格垄断案中,日本Elpida公司的前高管已承认有罪。

      据美国司法部的声明,Elpida的前内存业务副总裁D. James Sogas同意因参与全球共谋操纵入狱服刑六个月和缴纳25万美元罚金。

      在20世纪90年代和本世纪初进行的DRAM价格垄断调查中,Sogas成为第17位被起诉和第14位认罪的人。Sogas是上述DRAM价格调查中第一位认罪的Elpida高管。

      今年9月,长期担任三星旗下美国公司Samsung Semiconductor高管的Thomas Quinn也认罪,由于在全球共谋操纵DRAM储存芯片价格而将入狱服刑。根据认罪协议,Quinn需要服刑八个月并支付25万美元罚款。

      德国英飞凌和韩国海力士 (Hynix Semiconductor)一共有8人认罪,并被判入狱五到八个月,每人支付25万美元罚款。

      美光(Micron Technology)的一位高管则早在2003年12月承认妨碍司法并被判软禁六个月。德国英飞凌 (Infineon Technologies)在2004年9月同意支付1.6亿美元的罚款。

      今年1月,日本厂商Elpida Memory同意认罪,并支付8,400万美元的罚款。

 
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