针对高电压工业应用，TI最新发布了两款高压运算放大器OPA211与OPA827，新器件采用TI创新的BiCom3HV互补双极36V硅锗(SiGe)工艺开发而成，具有低功耗、小体积等关键特性，这是基于此种新工艺的第一代产品。两款器件现已开始提供样片，计划于2007年第二季度投入量产，所有器件的工作温度范围均设置为-40℃至+125℃。

      尽管TI以前就有40V模拟产品的工艺，但一直没有应用于合适的产品设计，对Burr-Brown的收购使这一新型模拟工艺大有用武之地，德州仪器(TI)高精度模拟产品亚洲区业务拓展经理官世明称：“工艺是这两款高电压运算放大器核心竞争力的一部分，也显示了TI致力于推动高电压工业市场的决心。”

      两款放大器实现更低噪声、宽电压

      两款新品提供超低噪声与36V电源，以满足严格的工业要求，为测试测量、仪表、影像、医疗、音频与过程控制等应用提供突破性的高性能，较同类36V器件功耗更低、对整体系统电源要求更低，并且新工艺显示减小尺寸，从而为±15V工业应用提供了最小封装。

      OPA211是一款双极输入运算放大器，仅需3.6mA电源电流即可实现1.1nV/rtHz的电压噪声与80MHz增益带宽(GBW)。该器件可提供100μV失调电压、0.2μV/degC失调电压漂移以及不足1μs的建立时间，非常适合驱动数据采集系统中的高精度模数转换器，此外，该器件还支持轨至轨输出振幅，从而扩大了动态范围。其工作电源电压范围为±2.25V至±18V，采用8引脚MSOP封装或8引脚DFN封装。3毫米x 3毫米DFN封装面积仅为标准8引脚SO封装的三分之一。双极运算放大器在降低失调电压误差方面表现出色，非常适合信号源阻抗较低的应用。

      对于JFET输入运算放大器OPA827，官世明指出：“JFET运算放大器实现了极低的偏置电流，其输入架构非常适用于高输入阻抗的应用，例如工业应用及通信领域。”OPA827实现了出色DC精度与优异 AC 性能的完美结合。DC 特性包括4.5nV/rtHz电压噪声、250μV失调电压、1μV/degC失调电压漂移以及400nVpp频率噪声。AC参数包括18MHz GBW、22V/μs 压摆率以及1kHz频率下的0.0004%总谐波失真(THD)。它的工作电源电压范围为±4V至±18V，电源电流只需4.5mA。该器件采用8引脚MSOP封装，与8引脚SO封装相比占用面积减少了一半。

      此外，TI还为客户提供适用于高精度应用的信号链解决方案，其中包括ADS8505等模数转换器以及DAC8811等数模转换器。OPA211与OPA827为配合 TI TMS320高性能DSP平台与MSP430超低功耗微控制器系列的协同工作而专门进行了优化。

      BiCom3HV新工艺适用于高压、高精度要求

      BiCom3HV工艺可满足未来高电压工业应用的需求，实现了高速度、低噪声、低功耗等特性，与前代技术相比，封装面积显著缩小。BiCom3HV 是率先采用硅锗技术的36V工业工艺，其晶体管速度较前代技术得到显著提高。出色的晶体管匹配与高精度硅铬(SiCr)电阻器提高了精准度，扩大了动态范围，实现了整个工作温度范围内的高稳定性。

      官世明称：“BiCom3HV工艺不是单纯的SiGe工艺，引入硅绝缘体(SOI)技术缩小了晶体管尺寸。”通过尽可能缩小NPN晶体管，TI晶体管尺寸仅为采用最先进工艺技术的同类产品的11分之一。SOI还带来了其它优势，如低泄漏电流与更小的晶体管间影响等。

      与数字工艺的CMOS低电压工艺和传统的BiCMOS工艺不同，BiCom3HV工艺技术更适用于新一代工业电压运算放大器(双极输入与FET输入)、仪表放大器、可编程增益放大器以及高精度参考等。