根据内存市场研究机构集邦科技(DRAMeXchange)所发表的最新报告，2008年开春第一周，DDR2 512Mb eTT现货价维持在0.84-0.85美元狭幅整理格局，并于第二周开始反弹，从1/7的0.84美元上涨9.5%至1/14的0.92美元；同时DDR2 1Gb eTT涨幅也有6.4%，由1.72美元上涨至1.83美元。

      就这波价格趋势而言，集邦表示，品牌颗粒DDR2 512Mb均价由2007年1/2的6.32美元下跌73%至5/22的波段新低1.70美元，随即在一个月内拉回40%至6/22的2.40美元；然后又下滑62%至11/28的0.92美元打出第一支脚，接着反弹4.3%至12/5的0.96美元，并于12/11破新低0.91美元打了第二支脚，形成了一个完整的W底，从去年年底开始在0.92-0.95美元筑底。

      值得注意的是，目前单颗DDR2 1Gb与两颗512Mb的价差已经低于1%。根据集邦科技统计，在2007年10月两者的价差还维持在37%，但是到了12月份就收敛到5.1%，显示现货市场1Gb的供应量大增。由于单颗1Gb的成本相比于两颗512Mb成本，至少可节省后段封测0.3-0.5美元，而对目前价格萎靡不振的DDR2而言，加速生产1Gb无疑是DRAM厂降低成本最迅速的方法。除此之外，单颗DDR2 1Gb价始低于两颗512Mb，也象征市场主流已经转向1Gb，因此后续必须观察的是1Gb与512Mb的价差变化。

      就市场面来分析，一月上旬DRAM合约价止跌回稳，接连带动现货市场中的DDR2颗粒的价格攀升，加上中国农历年前市场需求会走强，假使这波买气聚集，DDR2 512Mb品牌颗粒有机会于1月底或农历过年前率先回到1美元以上，否则将会在0.8-0.95美元盘整。

      而在一月下旬或二月初，DRAM厂有岁修计划进行，其中台系厂茂德将实施岁修长达两周，降低DRAM三月总产出，加上PC销售在三月预计会微幅向上。集邦科技预测在三月DDR2有非常有机会上攻1-1.2美元。若在第二季前，有DRAM厂商正式宣告部分停产或降低资本支出，则DDR2 1Gb有机会突破2.5美元，约35%的涨幅，带领DRAM厂告别亏损迎向获利。