ORNAND闪存以及TI的OMAP处理器组成的手机系统，包括流畅的MPEG4图像播放(每秒15帧)和数字相片的快速存取和读出。在这个系统中，指令代码仍然存放在一块Spansion的XOR闪存芯片上，以ORNAND作为数据存储。ORNAND并不直接支持XIP(现场执行)功能，而是通过另外的NOR或将ORNAND的数据下载到SDRAM来实现。基于其架构，ORNAND可以同时存储代码和数据。  

    “1Gb的ORNAND闪存在价格上与1Gb的NAND闪存完全相同，”Cambou强调，“与此同时，NOR闪存的应用领域仍然十分巨大。我们将通过提供整体的设计方案为客户服务。” Spansion计划在明年推出2Gb的ORNAND闪存。  

    以传统的手机应用来看，采用NAND闪存的启动时间可能需要约45秒的时间，“如果用ORNAND闪存就可以实现和NOR一样的速度。”Cambou这样表示。  

    按照iSuppli等市场调研公司的数据，NAND的市场份额在2005年中期开始与NOR闪存并驾齐驱。在谈及NAND的快速增加趋势时，Cambon表示“这并不重要，因为应用的环境不同，NOR闪存更多地应用在嵌入式系统等非附带(deattached) 应用中。”他以汽车引擎中需要的闪存为例解释了高可靠NOR闪存的重要性，以及ORNAND在汽车导航中的地图数据存储应用。  

    “嵌入式系统中NOR与NAND并存的情况将会继续维持下去，而Spansion通过ORNAND开始进入NAND的应用领域。”Cambou表示，“同时，Spansion在NOR闪存领域的地位在不断加强。”从业界最近的变化上看，Spansion在NOR领域所处的领先地位确实正在加强，部分半导体厂商开始退出NOR领域。  

90nm工艺提高产能  

    Spansion的最新一代ORNAND和NOR产品开始采用位于美国奥斯汀的Fab 25工厂中的MirrorBit 90nm工艺。  

    按照Fab25工厂运行副总裁的介绍，Spansion目前在美国奥斯汀有一座晶圆厂，即Fab 25，在日本有三座。其中，Fab 25将从今年9月开始由110nm工艺升级到90nm，并在2006年9月全部转至90nm工艺批量生产，晶圆尺寸仍然维持为8英寸。同时，65nm工艺的升级也正在Fab 25的发展规划之中，并在今年开始策划。而位于日本的一座晶圆厂将在2007年转向12英寸65nm工艺。  

   “在未来的发展方向上，Spansion将把ORNAND产品和MirrorBit产品列为首位和第二位产品，”Blair透露，“浮动门NOR闪存将是第三位。”  

    与此同时，Spansion已与位于台湾的TSMC签署协议，TSMC将把Spansion 110nm MirrorBit技术引入专门用于Spansion产品的生产线中，并在2006年第二季度进入量产阶段，包括Spansion的GL、PL、WS系列无线产品和GL系列嵌入式产品。  

    从两种闪存器件工艺技术的进展上看，“目前NOR闪存的最先进工艺是90nm，明年将进入到65nm，NAND目前最先进的工艺技术是70nm。”Cambon分析到。两者在工艺技术上基本处于同一水平。  

    对于闪存产品来说，在90nm工艺条件下，如何实现通过10至12V对器件进行编程是个很大的挑战：一方面当工艺尺寸减小时节点的耐压性相对降低；另一方面将体现在如何将电荷在绝缘层同样变薄的情况下保存长达20年的时间。在闪存制造业中，耐久性和可靠性是保证闪存器件质量的关键。