非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品供应商Ramtron International日前发布全球第一款嵌入了非易失性FRAM存储器的8051MCU—VRS51L3074。Ramtron将FRAM加入于其高速灵活的Versa 8051系列产品中,以实现设计高速及高可靠性的非易失性数据存储和处理系统,而该系统只有嵌入了FRAM的增强型微控制器才能提供。
Ramtron加拿大公司总经理Irv Lustigman解释道:“VRS51L3074能在微控制器中展现FRAM的全部优点,这项突破性的进步将会根本地扭转微控制器的发展里程。VRS51L3074是未来完全以FRAM技术为存储单元的MCU系列的第一个产品。这种完全以FRAM技术为基础的MCU可以完全满足目前FLASH和SRAM的功能要求,完全由FRAM来实现程序存储,数据存储和特殊寄存器存储需求。”
采用FRAM代替FLASH/EEPROM作为非易失性数据存储
采用FRAM可省去FLASH技术中数据存储所伴随的额外代码开销。避免了FLASH/EEPROM寿命有限和写入周期过长的缺点,从而缩短了设计周期。与FLASH闪存不同,FRAM中字节可以随时修改而不必事先擦除整个扇区,使到数据存储更加容易;此外,FRAM还可提供几乎无限的读写次数及快速写入速度。
VRS51L3074将8KB FRAM存储器和高性能系统级芯片结合,其核心是速度高达40MIPS单周期8051内核、同时具有ISP和IAP编程功能的64KB Flash程序空间、4KB SRAM、JTAG编程/调试接口、数字信号处理(DSP)单元和功能强大的数字外设。3.3v的工作电压和工业级的温度范围使得VRS51L3074是嵌入式数据采集解决方案理想的选择,可广泛的应用于从传感检测与计量到工业控制、仪器和医疗设备等领域。
VRS51L3074特性
8K x 8 FRAM: 8KB真正的非易失性随机存储器(无须电池/特大电容便可保存数据)映像到VRS51L3074的XRAM存储寻址空间上,充分发挥其快速读写以及读写寿命无限的特点。
40MHz、单周期8051处理器:这是市场上最快速的8位处理器之一,其先进的内核可以提供高达40 MIPS的吞吐量,并且与标准8051s指令兼容。方便实现程序移植。
带32位桶式移位器的MULT/ACCU/DIV单元:此硬件计算单元在执行DSP操作(FIR滤波、传感器输出线性化、多重字节算法操作等)时,其性能显著优于8位处理器。它在一个周期中(40MHz)执行16位有符号的乘法和32位加法,在5个周期中(40MHz)执行16位有符号的除法。桶式移位器实现了逻辑/算法转换操作。
精密的40MHz内部振荡器:VRS51L3074内部集成了精度高达2%的内部振荡器,由于无需外部振荡器,简化系统设计。
JTAG接口:界面友好简单易用的JTAG调试编程接口。支持价格便宜的在线编程和在线调试仿真器。
VRS51L3074包含了一系列可以灵活配置的硬件数字外设,在提高了集成性的基础上大大的减轻了处理器的运算负荷。
带波特率发生器的双UART:这个通用异步接收器/发送器最大的工作速度为1.25Mbps,每个UART均带有一个独立的具有16位分辨率和4位波特率微调功能的波特率发生器。
增强的SPI:通用串行外设接口,通信速度可以达到20Mbps,发送数据长度可以从1位到32位可选。
PWC:两个脉宽记数模块,提供高性能定时器功能,可以方便的对脉冲宽度进行测量。
PWM: VRS51L3074包含8个脉宽调制器,具有高达16位的可调节分辨率。每个PWM都有自己独立的定时器,并可以用作通用定时器使用。
其它外设包括1个I2C接口、3个16位系统定时器带有3个捕捉输入口、1个看门狗定时器和49个中断源。VRS51L3074以QFP-64封装形式供货。
价格与供货
VRS51L3074目前提供样品,批量供货的价格低于5美元。 |