| 飞思卡尔半导体公司日前推出11种新型设备，从而扩展了其砷化镓(GaAs)通用放大器(GPA)系列设备。这些功率放大器直接使用5V直流电源运行，提供了从DC到6GHz的多种电源选择和频率范围，而且包括了常见应用的直接替代品。此次产品扩展标志着飞思卡尔推出了异质结场效应晶体管(HFET)通用放大器。HFET技术在对许多应用至关重要的噪声系数和线性方面具有独特优势。
飞思卡尔已经可以提供从DC到6GHz的14种功率放大器，能为设计人员提供多种用于各种小信号A级低功率RF应用的设备。总体来说，经过扩展的通用放大器产品系列能为设备提供从12到24dBm的P1dB，同时还可以提供两种拥有多种功率级别的增益选择。每种通用放大器设备都具有极低的热阻，能够大大延长使用寿命。
通用放大器的通常用途包括用于模拟和数字蜂窝、PCS服务、Wi-Fi、WiMAX、ZigBee技术的无线基站放大器的前级驱动器和驱动器，用于光纤入户的、光调制器驱动和增益增强器，以及多种其它消费级、商业和军事应用。
飞思卡尔通用放大器系列中的新增产品包括MMH3101NT1、MMG3012NT1和MMG3013NT1设备。MMH3101NT1是一种在250MHz至3GHz之间运行的HFET，P1dB为21.5dBm，在2140MHz时功率增益为12dB、三阶输出截取点(OIP3)为41dBm。HFET技术的主要优势是在相同偏压电流下与异质结双极晶体管相比具有更高的OIP3和更低的噪声系数。MMH3101NT1更低的噪声系数(2.5dB)使设计人员们能将该设备用作极高灵敏度的接收器和收发器中的增益器。
磷化镓铟(InGaP) HBT的优势是与同类HFET相比具有更高的增益和更小的芯片尺寸。它们也可以使用单一的电源电压运行。飞思卡尔的所有Darlington InGaP HBT都集成了正在申请专利的热补偿电路，能够显著减少温度改变时的性能变化。MMG3012NT1 HBT能够在DC到6GHz下运行，P1dB输出为18.5dBm、小信号增益为19dB、900MHz时的OIP3为34dBm。MMG3013NT1是一种频率范围为DC到6GHz的HBT，P1dB为20.5dBm、功率增益为20dB、900MHz时的OIP3为36dBm。
所有这三种设备都是A级小信号市场上一些最常见应用的直接替代品。它们使用5V直流电源，不需要外部电阻器，内部匹配到50Ω，带有无铅引脚，使用低成本的SOT-89表面安装封装，而且其在260℃峰值封装温度下为1的湿度敏感度能确保与无铅装配过程的兼容性。
所有新型通用放大器目前正在进行样本测试。MMH3101NT1计划于2005年第三季度量产。其它通用放大器计划在今年末和明年初进行样本测试。 |
