据Dramexchange消息，4月下半月的DRAM合约价格下跌到了20美元左右，这也影响到了现货市场的价格走势。面向2007年下半年PC销售旺季，PC厂商将增加库存，预计DRAM需求将随之增长。因此，DRAM价格可能在2007年下半年触底。价格持续下滑，已使DRAM厂商濒临亏损。向更先进的生产工艺转移，以及提高1GB芯片的出货量，将是决定2007年下半年DRAM厂商业绩的两大因素。
由于需求仍然疲软，现货市场的价格环境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近，DDR2 eTT跌到了2.05美元左右。由于PC OEM厂商处理多余库存，合约市场的价格也在下跌。DDR2 667MHz 512MB的合约价格大致持稳于20美元，甚至更低的水平。
目前DRAM合约价格的下降幅度大于当初预期，主要是因为PC市场处于需求淡季，以及供需严重失衡。DRAM厂商的月产能不断上升，迫使它们以极低的价格出售。幸运的是，由于PC厂商的库存水平目前较低，以及季末公布财报的活动接近尾声，DRAM需求可能开始回升。另外再加上2007年下半年PC市场旺季即将来临，DRAM价格可能即将反弹。
面对价格持续下跌的局面，厂商正在竭力进一步削减成本。例如，美光最近宣布，利用78纳米工艺成功地开发出了1.5V DDR2芯片。这样低的电压，可以节省大约24%的功耗。由于美光成本不占优势的8英寸工艺占了很大比例，它正在推出特殊规格的芯片，以避开商品类DRAM市场中激烈的价格竞争。三星和海力士半导体，则已开始利用68和66纳米工艺试生产，同时提高2007年下半年1GB芯片的出货比例。另一方面，台湾厂商则在继续提高12英寸工厂的产能。无需多言，随着产能快速上升，DRAM厂商引入的成本下降机制将在其未来的竞争中发挥重要作用。
NAND闪存供应商加快开发内置存储产品
目前，约有三分之二的NAND闪存产能被用于存储卡和USB驱动器。同时，另外三分之一则被分配给了内置存储产品，或者使用标准的NAND闪存，或者使用集成式闪存。例如，三星在3月推出了GB moviNAND，由四个采用50纳米工艺生产的16Gb芯片组成。据三星高管，这种产品将在2007年第二季度结束前投入量产。
东芝在其网站上发布了一款16GB嵌入式闪存，采用56纳米工艺制造，由8个16Gb芯片组成。东芝将在6月向客户提供样品进行评测，计划7月量产。
SanDisk也在2007年2月展示了iNAND产品，密度从256MB到4GB，将主要面向采用微驱动器的移动通讯产品。
随着NAND闪存生产向更高级的工艺过渡，相关成本进一步下降，移动通讯产品生产商开始日益青睐嵌入式闪存。计划在6月发布的Apple iPhone，将包括4GB或8GB款式，预计将推动更多的厂商采用内置式闪存作为存储解决方案。这些动态也在使集成式闪存越来越受欢迎。
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