法国巴黎第七大学和瑞士综合理工大学的科学家，在零下143摄氏度的真空状态下，把钴原子凝聚在金晶体材料上，在这种材料表面的钴原子根据事先安排好的一种结构来排列组合。数百个原子可以形成一个大接点，这些接点又相互组合，自动形成一个有序的结构体系。研究人员由此得到的纳米级材料，其结构可以突破信息存储的不少极限，使硬盘的信息存储密度进一步加大。

　　  据介绍，在目前的硬盘中，信息主要被存储在一个很薄的钴合金晶粒片上。1比特的信息需要占1000个晶粒。而法国、瑞士科学家新开发的技术使存储1比特信息仅占用1个晶粒，1平方厘米新材料的信息存储量达到了4万亿比特。

　　  在微电子技术领域实现微小化、单位面积内储能力最大化是重要的研究方向。目前的成熟技术很难满足市场对存储能力的要求。未来，利用纳米技术将能在上述两方面不断获得进展。