Maxim推出MAX2029业内性能最优、完全集成的815MHz至1000MHz SiGe无源混频器。MAX2029专为2.5G/3G无线基础结构应用而设计，提供空前的线性度、噪声性能和部件集成的结合。配置为上变频器时，IC可单独提供39dBm的IIP3、71dBc的LO ±2IF抑制，以及仅为6dB的变频损耗。作为下变频器使用时，MAX2029提供同样强大的性能：36.5dBm的IIP3、27dBm的IP1dB、6.5dB的变频损耗，以及6.7dB的噪声系数。此外，器件具有优异的2阶和3阶杂散抑制。MAX2029理想用于815MHz至1000MHz WCDMA、GSM850/GSM900 EDGE、cdma2000?和iDEN?基站等应用，这些应用中，高线性度和低噪声系数对增强型接收器和发送器至关重要。 作为一款完整的SiGe上/下变频器，MAX2029集成了一个先进的双平衡混频器内核、一个LO放大器、两个非平衡变压器、一个LO开关，以及多个分立元件。这种集成将混频器所需的总电路板空间减小了40%，分立元件的数量减少了33%。MAX2029突出的72dBc (具有-10dBm RF调谐) 2RF-2LO性能还简化了中心频率附近的谐波滤波要求，从而使滤波器设计更为简单，节省了成本。
混频器提供极宽的直流至250MHz IF频率范围，具有570MHz至900MHz、低端LO注入范围。器件支持通过内部集成的SPDT LO开关进行跳频，开关速度小于50ns(典型值)，具有53dB的LO1至LO2隔离。片上具有0dBm驱动的LO缓冲器提供±3dB驱动差异控制，从而在整个温度、电源和输入功率范围内保证增益、NF和IIP3性能的稳定性。MAX2029在-40°C至+85°C工业级温度范围内具有优异的±0.2dB增益差异。IIP3扩展在整个温度范围内同样也具有+0.4dB/-0.6dB的优异性能。
MAX2029采用紧凑的5mm x 5mm、20引脚TQFN封装。器件封装与MAX2039/MAX2041/MAX2042*/MAX2044*系列的1700MHz至2200MHz、1700MHz至3000MHz 、2300MHz至2700MHz以及3200MHz至3900MHz混频器引脚兼容，使该系列无源上变频器和下变频器可理想用于采用相同的PCB布局即可方便地实现多频段无线基础结构的应用。器件还提供无铅封装。芯片起价为$6.15 (1000片起，美国离岸价)。 |
