以ISL6615为例，它采用一种同步整流降压式转换器拓扑结构，是一款专门用来驱动高低功率N沟道MOSFET的高速MOSFET驱动器。该驱动器，集成了Intersil的数字或模拟多相PWM控制器，形成了一款完整的高频和高效率的稳压器。它可以在4.5V至13.2V下驱动高低栅极。其驱动电压可以实现应用所需的包括栅极电荷和导通损耗之间平衡在内的灵活性的优化。
ISL6615还具有高阻抗状态的输入功能，与Intersil的多相PWM控制器一起使用可以控制操作暂停时出现的输出电压负瞬态。这个功能无需使用常见于电源系统的肖特基二极管，可以防止负载受到输出电压的破坏。
新型驱动器增加了栅极驱动电流（UGATE的流出和吸入栅极驱动电流为4A ，LGATE的吸入和流出电流则分别为6A和4A，以及最理想的效率可调整栅极电压，支持高达1MHz的高开关频率，有助于缩短栅极电压上升/下降时间并降低传播延迟。这将最大限度地降低开关损耗并改善效率，尤其是在每相并联功率MOSFET的大电流应用当中。
ISL6615和ISL6615A还支持9.6V和12V输入轨。此外，设计人员可以选择支持3.3V PWM信号（ISL6615）或 5V PWM 信号（ISL6615A）的器件型号。每个器件都有12V至5V的宽输入电压工作范围，所有器件都与Intersil的上一代ISL6594D引脚对引脚兼容。
为了给系统提供更高的安全保护，两款产品利用防止过充电的自举电容器、36V内部自举肖特基二极管、三态PWM输出安全输出级关断、满足上电顺序要求应用的三态PWM输入迟滞、预POR过压保护和VCC欠压保护等多种保护来实现这个目标。这种对系统安全的关注，加上改善的灵活性和更高的栅极驱动效率，有助于设计人员保持电路板设计的一致性，同时实现诸多改善，并避免使用昂贵的低的RDS（ON） MOSFET。
下图为ISL6615的框图
ISL6615和ISL6615A还采用了同步整流桥双MOSFET驱动，具有先进的自适应零击穿死区时间控制（体二极管检测、LGATE 检测、自动零RDS（ON）导通偏移影响）；上电复位（POR）功能，以及多功能栅极驱动电压等特性。这些都有助于实现行业最佳的开关效率，而且无需重新设计电路板。此外，两款器件还采用了有利于更好散热的可扩展底部铜焊点，以及符合RoHS要求的双扁平无铅封装（DFN），其接近芯片级封装的占位面积可提高 PCB 效率，降低板外高度。
