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Vishay推出30V单片功率MOSFET和肖特基二极管

时间:2008/10/8 9:22:00  作者:  来源:IC72  浏览人数:1297
 
 

      Vishay推出采用具有顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管---SkyFETSiE726DF,该器件可在具有强迫通风冷却功能的系统中高效能的运作。新型SkyFETSiE726DF器件采用具有双面冷却功能的PolarPAK?封装,可提升高电流、高频运用的效率。

      新型SiE726DF在10V栅极驱动时,具有极低的导通电阻,最大为0.0024?(在4.5V驱动时,最大为0.0033?);且在无散热片的情况下,能够处理的电流水平比具有相同占位大小的SO-8高50%,并为服务器和通信系统中的高电流直流---直流转换器的同步整流低端控制开关、VRM运用、显卡和负载点等应用进行了优化。该器件的典型栅极电荷为50nC,具有很低的Qgd/Qgs比率,能够提供良好的击穿保护。

      集成了MOSFET和肖特基二极管的SiE726DF具有的Qrr为30nC,VSD为0.37V,两者均比标准MOSFET低50%以上;且因为寄生器件减少和MOSFET体二极管相关的功率损耗降低,效率也得到了提高。而且随着开关频率的升高,器件的功率损耗则会越来越显著的减少。此外,取消外接肖特基二极管不仅可在降低成本的同时,更令设计人员创造出更小、更简洁的电路设计。

      Vishay的PolarPAK封装提供的双面冷却功能在高电流运用领域表现出理想的散热性能,这使器件能够在更低结温下运作---顶部热阻为1°C/W,底盘热阻为1°C/W。这种封装除简化生产外,基于引线框架的密封设计因芯片密封,同样提供了保护和可靠性。无论芯片大小,该器件提供相同的布局布线,简化PCB设计,且100%通过Rg和UIS测试。

      目前,可提供SiE726DF的样品与量产批量,大宗订单的的供货周期为10至14周。

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