多年来，半导体产业耗费大量精力研究所谓的“通用”存储技术，这种技术能够在断电情况下保存数据，具有快速、廉价等优点，还兼具充足的存储密度等特性，能够替代统治如今近500亿美元存储市场的DRAM、SRAM和闪存等技术。

      由于没有统一的通用容量或性能要求，系统设计师们致力于设计价格昂贵的多芯片封装存储器件。市场研究公司SemicoResearch分析师BobMerritt说：“这说明目前我们已经研发出来的存储技术是不够的。”

      市场调研机构iSuppli存储器件分析师MarkDeVoss预测，2019年存储器件市场规模将达760亿美元，对任何能够融合最好的多类型存储的存储芯片技术来说，这都是一个无法抵制的诱惑。

      但是，包括那些致力于研究可替代性存储技术的很多业界专家都在怀疑，真正的通用存储技术究竟会不会发展起来？

      “我还没有真正看到通用存储技术像其他事物一样随时都会出现，”就职于Intel相位转换存储（PCM）部门的GregAtwood说。

      实际上，很多理想的通用存储芯片的性能都是互不兼容的。像SRAM之类的快速存储芯片需要相当低的电源门限来改变存储数据的每个位，但是对于长期数据存储来说，电源门限越高越好。因此，将快速操作和长期数据存储集成起来确非易事。

      主要的拥有竞争力的技术包括PCM、FRAM和MRAM。同时，Nantero公司正在研发使用碳纳米管存储数据的技术。但是，实际上这些技术中只有FARM是唯一一个已经走向市场的技术。RamtronInternational每年售出价值约3,000万美元的FRAM芯片，而Fujitsu（富士通）作为Ramtron芯片的开创者，并没有透露其销售情况。

      FRAM不可能同时在存储密度和价格上取得优势。最新的FRAM芯片仅有256Kb的存储容量，而闪存已经达到8Gb的存储容量。

      PCM对于尺寸非常小的存储芯片来说颇具发展潜力，它在成本上更有优势，也是Hynix、英飞凌、英特尔、三星、ST以及其他一些厂商的研究方向。相对来说，PCM的功耗相当高，而且，由于它对温度的敏感性，还可能存在加工上的问题。

      对于MRAM，飞思卡尔半导体两年前就已经针对它开始4Mb芯片的用户样品开发，2006年计划开始商业产品的供应。

      飞思卡尔MRAM技术总监SaiedTehrani认为，从存储速度和耐用性方面考虑，MRAM是各种存储技术候选方案中最好的选项。但是它并不指望MARM会是“实际上可以替代我们今天所用的一切存储技术的存储器件”。

      Nantero公司首席执行官GregSchmergel认为纳米管存储技术是“一种在原理上没有物理限制的技术”，它最终能够成为通用型的存储技术。但是也和其他技术一样，这种技术离市场的验证还相差甚远。并且，研究还在继续，研究的过程也带给我们这种可能性：即在将来某一天，一个真正通用的存储芯片会真真切切地出现。