国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)宣布推出具有基准低通态电阻(RDS(on))的沟道型HEXFET功率MOSFET系列。这些采用TO-247封装的MOSFET适用于同步整流、动态ORing及包括高功率DC马达、DC-AC转换器及电动工具等工业应用。

      新MOSFET的通态电阻(RDS(on))能效比同类产品高出达50%，无需工业应用中通常使用的大型及昂贵封装，有助于节省总系统成本。此外，低RDS(on)可降低导通损耗，并提升系统效率。

      全新N沟道MOSFET系列可提供40V至200V电压，也符合工业级及MSL1要求。新MOSFET均不含铅并符合电子产品有害物质限制(RoHS)指令。