三星电子(Samsung Electronics)日前宣布开发出8GB FB-DIMM(全缓冲双列内存模组)内存。该公司曾于2005年10月推出8GB R-DIMM(双列直插内存模组)，此次推出的FB-DIMM密度内存，作为该公司在全球高端服务器内存市场的又一代表。
FB-DIMM是一种新的内存互连技术，主要应用于高端服务器以及工作站，包括Intel、HP和Dell等大PC厂商都表示了对该架构的支持。在大型工作站或高端服务器上使用此种高密度内存，效果非常理想。
全缓冲双列内存模组(FB-DIMM)的构造突破了以前每条通道2～4个模组容量的限制，达到8个模组(module)，且速度不会减慢。这种新的架构还可以通过高级内存缓存(AMB)芯片与系统中的每个模组进行点到点连接，以相同的速度处理更多的数据。
此外，FB-DIMM将内存通道转变为串行界面，并且由内存缓冲器取代DIMM寄存器。在特性方面作出进一步的改进，支持更高容量，提供更强性能。因此，服务器市场对高密度DRAM(动态随机内存)的需求量将有望在今后明显增加。此次推出8GB FB-DIMM内存，将使服务器充分利用扩展内存支持，从高存储密度和带宽中受益，最大限度的扩展性能。
FB-DIMM在现有DRAM模组增加一个AMB(高级内存缓存)芯片，从而使模组中的DRAM能够通过AMB芯片与系统互相传送。目前FB-DIMM架构标准被JEDEC(电子行业联盟的半导体工业标准化组织)所采用，设计者在设计下一代DRAM系统时，可以在R-DIMM和FB-DIMM之间进行自由选择。 |
