IR1167智能整流IC采用IR专有的HVIC技术，能够与各种MOSFET栅极兼容，还可以直接连接IR各种30V至200V 的SR MOSFET。在与具有优化导通电阻及栅极电荷特性的IR MOSFET产品共同使用时，IR1167智能整流IC的优势将更加突出，具有这些特性的产品有：IRF7853、IRFB4110和IRFB4227等。这些优化的MOSFET能与IR1167 SmartRectifier IC融合在一起，成为“整体芯片组解决方案”，进一步提升SR电路的效率和功率密度。
由于新的IC能脱离主控独立运行，所以它适用于多种开关模式变压器和电容输出滤波器应用。与初级部分独立，意味着IR1167在低功率的“跳频模式”下运作，使产品符合“待机功率小于1W”以及加州能源委员会的80Plus规定。
智能整流技术使SR MOSFET的损耗减半，因此也减少了所需的MOSFET数量，还有助于将大型TO-220封装改为小型、表面贴装的SO-8器件。
新IC有SO-8和DIP-8两种封装选择，两者均不含铅(PbFree)，符合“电子产品有害物质限制指令”(RoHS)。
除了数据资料、应用说明书和技术论文，用户还可以登录IR的myPower网站，使用全新的SmartRectifier在线设计软件。设计人员只要输入应用条件和性能要求，就能获取按照性能和系统成本排列的IC和MOSFET芯片使用建议。此外，IR还提供一种子卡，可将IR SmartRectifier的效率和简便性与二极管设计和复杂的SR方案进行比较。
