Microsemi日前推出其最新一代功率MOS 8产品的首批15款产品。这些新型的功率MOS 8 MOSFET和REDFET系列器件设计用于包括功率因子校正、服务器和电信电源系统、太阳能逆变器、电弧焊、等离子切割、电池充电器、半导体资本设备和感应加热等高功率、高性能开关模式应用。

      其主要优点有：受振荡影响减小，电磁干扰(EMI)降低；低导通电阻RDS(on) ；低栅电荷；低开关损耗；额定雪崩能量；更低的热阻抗。

      FREDFET具有更快的寄生二极管恢复时间

      Microsemi的工程师们采用先进的设计技术优化电容和栅极电阻，从而使一系列器件受振荡影响程度降低、峰值转换率更低、EMI减小、提高了dv/dt处理能力。这些优点相结合可简化高功率应用中对多个器件的滤波和并联。

      此外，与早期的器件相比，先进的制造工艺降低了MOS 8产品的热电阻，使每个裸片尺寸和封装类型可承受更高的额定电流。电容和栅电荷的降低可实现较高的转换频率和较低的开关损耗。

      所有MOS 8器件经过100%雪崩能量检测，所用封装皆符合RoHS指令。

      因受益于恢复速度小于250ns的快速寄生二极管 ，MOS 8 FREDFET具有MOS 8 MOSFET所具有的全部优点。这些器件在寄生二极管承载正向电流的应中具有极好的耐用性和可靠性，如常用的零电压转换(ZVS)桥拓扑。

      功率MOS 8系列首批推出的这10款MOSFET和5款FREDFET器件的额定电流范围为19至75A，额定电压范围为500V至1200V。其它不同的额定电流、电压组合将在2006年底和2007年初推出。

      首批超快恢复FREDFET器件的额定电压范围为500V和600V，恢复时间仅为150纳秒，计划在2006年第四季度推出。额定电压为600V和900V的功率 8 IGBT将在2007年年初推出。