近期召开的数字储存媒体大会显示，未来闪存器件将向改善性能、提高数据安全性以及改进系统集成性的方向发展。
微软在其即将推出的Windows Vista操作系统内集成了诸如混合磁盘驱动器和ReadyBoost和ReadyDrive等储存方案，这表明这些方案和英特尔提出的替代性的Robson技术已走入舞台中央。这些方案均提供低成本、高密度NAND闪存。
然而，随着闪存制造商将工艺技术推向小至40nm的特征尺寸，若要获得高达32Gb的芯片密度，则不得不考虑随之而来的性能和与结构相关的问题。例如，尽管表面上很相似，同等容量的NAND闪存经常采用不同的内部控制结构。存储芯片的外部管理依赖于为此存储器优化的特定的控制芯片。这使系统制造商更难以改变供应商以获得优化的成本节省。
为了允许处理多供应商芯片，存储控制器将不得不足够灵活，对其控制接口加以调整。这徒增了许多控制器芯片设计的人力成本，可能限制控制器处理未来NAND存储器的能力。作为替代，英特尔与美光共同提出了开放NAND闪存接口(ONFI)，被称为受控NAND。三星开发了自己的名为MoviNAND方案，在单片封装内加入了多媒体存储卡控制器和NAND存储器。在这些方案中，存储控制器被集成到NAND存储芯片或者与之并排，从而为主机系统提供了更标准的接口。
市场研究公司IDC消费半导体高级研究分析师IdaRose Sylvester指出，板上NAND需求和手机内对闪存卡的需求将获得最大幅度的增长。另外，储存要求增加对未经授权的数据侵入实施更大保护。英特尔闪存部首席工程师John Rudelic表示，闪存易于受到黑客威胁，闪存外部的电路也易被黑掉。
NOR闪存内标准的模块锁闭提供的保护不充分，甚至将关键代码转移到芯片组片上芯片或引导ROM，这使得保护限制仅限于初始化序列，使剩余的数据易受攻击。
在Memcon上，英特尔披露了经过认证的闪存结构，以NOR闪存实现，在闪存内集成了FIPS兼容的随机数生成器和SHA-1和RSA宏。通过采用认证过的序列，存储器在执行任何操作前都需要一个有效签名。Rudelic表示，这一方案防止了有意更改闪存的行为，保护了整个闪存，采用独立于CPU主机的硬件。据悉，这种存储器的样品目前已可供应，英特尔正在研制一种替代源。
目前，在许多手机内，NOR和NAND闪存共存，NOR闪存负责操作系统和应用软件，而NAND闪存维持音视频和静止图像数据。然而，随着系统性能要求增加，NOR闪存上的标准地址/存储器总线接口也大势已去。为提升性能，意法半导体提出了双数据率存储接口，以翻番传输速率。维持存储性能将要求存储器内部流水线化，但接口将导致系统级简化，引脚数量更少。
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