很多应用场合要求半导体存储器既能够像ROM那样是永久性的(非易失性的)存储部件，又能够重新编程以修改存储内容中的意外错误，或改变系统的基本程序。非易失性存储器即使在电源断电时也能保存所存储的数据。ROM就是非易失性的，一旦制造出来就不能改变。其它一些广泛应用的半导体存储器，诸如sRAM和nRAM具有读和写的能力，属易失性存储器，也就是说它们的内容在电源断电时就遗失掉。为解决这一矛盾，研制出了EPROM(可擦可编程ROM)，它具有密集的非易失性存储能力，同时在需要时又可以对它重新编程。

      EPROM存储器使用了一个独特的存储单元，从而获取了许多有用的特性。这种存储单元由Intel公司发明，被称之为FAMOS(浮栅雪崩注入金属氧化物半导体)。如图所示，它由一个具有二个栅极的晶体管组成，其中一个栅极与电路绝缘。 

      如果给这个浮栅设法充电以表示一个存储数据值，那么由于该栅极周围被Si02绝缘，所以电荷能保存很长—段时间。这种电路泄漏通道的电阻是如此之大，以至EPROM存储单元放电时间常数可高达l0年。这种存储单元就是利用所存电荷的有或无来存储数据。但数据—旦被存储后又怎样去改变它呢?

      从FAMOS名称第二个字母A“雪崩注入”，可以明白新数据的编程原理。如果把一个比较高的电压(约为25伏)加到浮栅—衬底之间，那么在栅极上就发生电子雪崩注入，电荷就置放到了栅极上，利用此种现象实现了编程。怎样完成擦除?按下述方法去掉栅极上的电荷即可；用适当波长(UV—2537Ao)的强紫外光照射浮置栅一段时间，存储的电荷获得了足够能量使它离开浮册。为此存储器芯片封装时留有石英窗口，全部存储单元都能同时接受光照，实现擦除过程。EPEOM擦除过程所需时间为20一30分钟。