IBM公司近日宣布了其光刻技术战略，表示将把其193纳米沉浸式光刻缩小到22纳米节点，以实现大量生产。换个角度看来，由于超紫外线（EUV）光刻技术还不能用于22纳米节点逻辑的早期开发工作，该技术将再次被抛弃。

      这对于EUV技术的拥护者来说无疑是个不好的征兆，他们本希望能在2009年将EUV这种下一代光刻技术应用于32节点中。另外，这一事件还对EUV是否已经就位，或者说它的可用性提出了更多疑问，它本来就已经由于人力资源、光刻胶等重要因素的缺乏而举步维艰了。而且，一套EUV工具的价格可能高达4000万到6000万美元。

      业界希望EUV工具能够帮助其尽快进入量产，但这一技术还未完全成熟。IBM公司著名工程师、光刻技术开发总监George Gomba表示：“我认为接下来的9到12个月里将是实现这一目标的重要阶段。”

      和大多数领先级芯片制造商一样，IBM也一直在开发EUV、沉浸式、直写等下一代光刻技术（NGL）。在它位于纽约州East Fishkill的领先的300纳米工厂里，IBM公司已经采用了来自ASML Holding NV公司的193纳米光学扫描仪。业界普遍认为IBM将继续和这家荷兰公司合作。IBM没有就其合作厂商发表评论。

      Gomba表示，IBM目前正采用“干式”193纳米沉浸式光刻工具生产65节点逻辑芯片。接下来，IBM将把193纳米光刻扩展到45纳米节点（65纳米半间距）。在该节点上，IBM将采用一个193纳米的沉浸式扫描仪和据称由ASML公司提供的1.2的数字孔径。

      Gomba在一次电话采访中表示：“IBM将在2007年年底开始45纳米工艺生产。大致而言，沉浸式光刻在2007年初就已经可以开始投入生产。”

      在45纳米节点之后，IBM还将把193纳米沉浸式光刻扩展到32纳米节点（45纳米半间距）。在这一节点上，IBM将试用单图形和双图形工艺，并采用一个带有1.35 NA透镜的扫描器。

      令人意外的是，IBM还表示将在2011年将沉浸式光刻缩放至22纳米节点。Gomba说：“我认为193纳米沉浸式光刻是能够满足22节点的2年周期和要求的唯一方案。”

      有专家表示，目前的193纳米沉浸式光刻折射率为1.4，还只能以40纳米工艺生产。为了突破这一障碍，IBM将运用一个采用了双图形技术的先进的193纳米沉浸式扫描器，以及分辨率增强技术和OPC。Gomba指出：“我们在试用各种不同的双图形工艺。”

      至于EUV呢？IBM认为EUV还不能用于22纳米的早期开发工作。IBM希望EUV能接近22纳米节点，但这一技术要到2009年才能最终成熟。

      迄今为止，ASML公司已经销售了两款相当早期的“试用型” EUV工具，一个提供给了IMEC公司，另一个给了Albany Nanotech公司。这家荷兰公司将给三星提供一款“预生产”型EUV设备，并可能给英特尔也提供一套。尼康和佳能也在开发EUV。

      与此同时，Gomba对于纳米压印和无掩膜光刻(ML2)在这些高端节点上的应用也表示悲观。他表示：“我们认为这还不到时候。”

      其它芯片制造商也有可能在光刻技术计划上效仿IBM。实际上，IBM正和数家公司在光刻技术领域的前沿展开合作。2005年，IBM、AMD、英飞凌和美光科技联合ASML和KLA-Tencor公司，组成了一个总投资6亿美元的7年光刻技术联盟INVENT。

      另一个合作伙伴，硅晶圆厂Chartered Semiconductor Manufacturing公司也将效仿IBM的战略。而包括UMC和TSMC等公司在内的其它晶圆厂则将在45纳米节点上应用沉浸式光刻技术。

      英特尔则是个例外。去年，英特尔宣布不会在45纳米节点采用沉浸式光刻技术。相反的，英特尔将扩展其现有的和传统的193纳米波长“干式”扫描器，用于处理45纳米节点的关键层。

      英特尔将在32节点采用沉浸式光刻。另外，它还是EUV技术的一个主要支持者，计划在32纳米节点甚至更精密的水平上采用这一技术。