据《上海日报》报道,美国政府已经批准英特尔(Intel)可以在其位于大连的芯片厂使用65纳米工艺。
报道说,目前这家投资额为25亿美元的芯片厂正在兴建,投产时间也有所调整。报道援引该芯片厂总经理Kirby Jefferson的话说,目前预计在2010年上半年投产,并可能采用更加先进的工艺技术。
在2007年3月宣布这个芯片厂项目的时候,英特尔当时表示将在2010年投产,将采用届时会显得落后的90纳米工艺。《上海日报》援引的Jefferson话说,大约一年后英特尔将决定采用90纳米还是65纳米工艺。
英特尔Fab 68工厂在2007年9月动工兴建,预计工厂占地163,000平米,包括一个15,000平米的清洁室。
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