安森美半导体(ON Semiconductor)扩充高性能片外静电放电(ESD)保护产品系列，推出ESD7L5.0D和NUP4212。这些新产品以安森美半导体专有的集成ESD保护平台设计，提高了钳位电压性能，同时保持低电容和小裸片尺寸。
ESD7L5.0D采用极小的1.2 mm x 1.2 mm x 0.5 mm SOT-723封装，保护每条线路0.5皮法(pF)电容的两条高速数据线路。将安森美半导体的低电容技术集成至3引脚封装为设计人员提供以单个器件保护USB2.0端口D+和D-线路的解决方案。ESD7L5.0D也能够连接阴极至阴极，保护0.25 pF电容的一条双向线路，非常适用于保护高频射频(RF)天线线路。
NUP4212采用小巧的1.6 mm x 1.6 mm x 0.5 mm UDFN-6封装，保护每条线路0.7 pF的4条高速数据线路和2条Vcc电源线路。使设计人员能够采用单个集成器件保护两个USB端口上的D+和D-线路及Vcc线路。
这两款新器件的主要特点，都来自安森美半导体傲视同侪的专有技术。ESD7L5.0D和NUP4212能够将15千伏(kV)的输入ESD波形在数纳秒(ns)内钳位至低于7伏(V)，确保当今的对ESD敏感的集成电路(IC)具有最高水平的保护。诸如聚合物和陶瓷压敏电阻等其它低电容片外ESD保护技术也提供低电容，但它们的ESD钳位电压远高于安森美半导体的解决方案。此外，安森美半导体这些硅器件没有无源技术的磨损问题，在经受ESD等多次浪涌事件后可靠性和性能都不会受到影响。
采用这个技术平台的首款产品ESD9L5.0S以技术、应用和设计创新方面的巨大进步而荣获美国《Electronic Products》杂志以及中国《今日电子》杂志各颁发2007“年度产品”奖。
ESD7L5.0DT5G采用SOT-723封装，每8,000片的批量单价为0.20美元。NUP4212采用UDFN-6封装，每3,000片的批量单价为0.608美元。
|
