国外集成电路命名方法(一) |
| 时间：2005/8/3 10:03:00 作者： 来源：ic72 浏览人数：2892 |
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器件型号举例说明 ( 缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）)
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AM |
29L509 |
P |
C |
B |
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AMD首标 |
器件编号 |
封装形式 |
温度范围 |
分类 |
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"L"：低功耗； |
D：铜焊双列直插 |
C：商用温度， |
没有标志的 |
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"S"：肖特基； |
（多层陶瓷）； |
（0-70）℃或 |
为标准加工 |
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"LS"：低功耗肖特基； |
L：无引线芯片载体： |
（0-75）℃； |
产品，标有 |
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21：MOS存储器； |
P：塑料双列直插； |
M：军用温度， |
"B"的为已 |
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25：中规范（MSI）； |
E：扁平封装（陶瓷扁平）； |
（-55-125）℃； |
老化产品。 |
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26：计算机接口； |
X：管芯； |
H：商用， |
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27：双极存储器或EPROM ； |
A：塑料球栅阵列； |
（0-110）℃； |
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28：MOS存储器理； |
B：塑料芯片载体 |
I：工业用， |
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29：双极微处理器； |
C、D：密封双列； |
（-40～85 ）℃； |
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54/74：同25； |
E：薄的小引线封装； |
N：工业用， |
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60、61、66：模拟，双极； |
G：陶瓷针栅陈列； |
（-25～85）℃； |
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79：电信； |
Z、Y、U、K、H：塑料 |
K：特殊军用， |
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80：MOS微处理器； |
四面引线扁平； |
（-30～125）℃； |
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81、82：MOS和双极处围电路； |
J：塑料芯片载体（PLCC）； |
L：限制军用， |
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90：MOS； |
L：陶瓷芯片载体（LCC）； |
（-55-85）℃＜ |
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91：MOS RAM： |
V、M：薄的四面 |
125℃。 |
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92：MOS； |
引线扁平； |
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93：双极逻辑存储器 |
P、R：塑料双列； |
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94：MOS； |
S：塑料小引线封装； |
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95：MOS外围电路； |
W：晶片； |
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1004：ECL存储器； |
也用别的厂家的符号： |
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104：ECL存储器； |
P：塑料双列； |
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PAL：可编程逻辑陈列； |
NS、N：塑料双列； |
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98：EEPROM； |
JS、J：密封双列； |
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99：CMOS存储器。 |
W：扁平； |
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R：陶瓷芯片载体； |
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A：陶瓷针栅陈列； |
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NG：塑料四面引线扁平； |
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Q、QS：陶瓷双列。 |
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