国外集成电路命名方法(一) |
时间:2005/8/3 10:03:00 作者: 来源:ic72 浏览人数:2891 |
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器件型号举例说明 ( 缩写字符:AMD 译名:先进微器件公司(美))
AM |
29L509 |
P |
C |
B |
AMD首标 |
器件编号 |
封装形式 |
温度范围 |
分类 |
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"L":低功耗; |
D:铜焊双列直插 |
C:商用温度, |
没有标志的 |
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"S":肖特基; |
(多层陶瓷); |
(0-70)℃或 |
为标准加工 |
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"LS":低功耗肖特基; |
L:无引线芯片载体: |
(0-75)℃; |
产品,标有 |
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21:MOS存储器; |
P:塑料双列直插; |
M:军用温度, |
"B"的为已 |
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25:中规范(MSI); |
E:扁平封装(陶瓷扁平); |
(-55-125)℃; |
老化产品。 |
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26:计算机接口; |
X:管芯; |
H:商用, |
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27:双极存储器或EPROM ; |
A:塑料球栅阵列; |
(0-110)℃; |
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28:MOS存储器理; |
B:塑料芯片载体 |
I:工业用, |
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29:双极微处理器; |
C、D:密封双列; |
(-40~85 )℃; |
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54/74:同25; |
E:薄的小引线封装; |
N:工业用, |
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60、61、66:模拟,双极; |
G:陶瓷针栅陈列; |
(-25~85)℃; |
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79:电信; |
Z、Y、U、K、H:塑料 |
K:特殊军用, |
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80:MOS微处理器; |
四面引线扁平; |
(-30~125)℃; |
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81、82:MOS和双极处围电路; |
J:塑料芯片载体(PLCC); |
L:限制军用, |
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90:MOS; |
L:陶瓷芯片载体(LCC); |
(-55-85)℃< |
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91:MOS RAM: |
V、M:薄的四面 |
125℃。 |
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92:MOS; |
引线扁平; |
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93:双极逻辑存储器 |
P、R:塑料双列; |
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94:MOS; |
S:塑料小引线封装; |
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95:MOS外围电路; |
W:晶片; |
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1004:ECL存储器; |
也用别的厂家的符号: |
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104:ECL存储器; |
P:塑料双列; |
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PAL:可编程逻辑陈列; |
NS、N:塑料双列; |
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98:EEPROM; |
JS、J:密封双列; |
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99:CMOS存储器。 |
W:扁平; |
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R:陶瓷芯片载体; |
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A:陶瓷针栅陈列; |
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NG:塑料四面引线扁平; |
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Q、QS:陶瓷双列。 |
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