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国外集成电路命名方法(一)

时间:2005/8/3 10:03:00  作者:  来源:ic72  浏览人数:2891
 
 
器件型号举例说明 ( 缩写字符:AMD 译名:先进微器件公司(美))
AM
29L509
P
C
B
AMD首标
器件编号
封装形式
温度范围
分类
 
"L":低功耗;
D:铜焊双列直插
C:商用温度,
没有标志的
 
"S":肖特基;
(多层陶瓷);
(0-70)℃或
为标准加工
 
"LS":低功耗肖特基;
L:无引线芯片载体:
(0-75)℃;
产品,标有
 
21:MOS存储器;
P:塑料双列直插;
M:军用温度,
"B"的为已
 
25:中规范(MSI);
E:扁平封装(陶瓷扁平);
(-55-125)℃;
老化产品。
 
26:计算机接口;
X:管芯;
H:商用,
 
 
27:双极存储器或EPROM ;
A:塑料球栅阵列;
(0-110)℃;
 
 
28:MOS存储器理;
B:塑料芯片载体
I:工业用,
 
 
29:双极微处理器;
C、D:密封双列;
(-40~85 )℃;
 
 
54/74:同25;
E:薄的小引线封装;
N:工业用,
 
 
60、61、66:模拟,双极;
G:陶瓷针栅陈列;
(-25~85)℃;
 
 
79:电信;
Z、Y、U、K、H:塑料
K:特殊军用,
 
 
80:MOS微处理器;
四面引线扁平;
(-30~125)℃;
 
 
81、82:MOS和双极处围电路;
J:塑料芯片载体(PLCC);
L:限制军用,
 
 
90:MOS;
L:陶瓷芯片载体(LCC);
(-55-85)℃<
 
 
91:MOS RAM:
V、M:薄的四面
125℃。
 
 
92:MOS;
引线扁平;
 
 
 
93:双极逻辑存储器
P、R:塑料双列;
 
 
 
94:MOS;
S:塑料小引线封装;
 
 
 
95:MOS外围电路;
W:晶片;
 
 
 
1004:ECL存储器;
也用别的厂家的符号:
 
 
 
104:ECL存储器;
P:塑料双列;
 
 
 
PAL:可编程逻辑陈列;
NS、N:塑料双列;
 
 
 
98:EEPROM;
JS、J:密封双列;
 
 
 
99:CMOS存储器。
W:扁平;
 
 
 
 
R:陶瓷芯片载体;
 
 
 
 
A:陶瓷针栅陈列;
 
 
 
 
NG:塑料四面引线扁平;
 
 
 
 
Q、QS:陶瓷双列。
 
 
 
 
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