国外集成电路命名方法(七) |
时间:2005/8/8 9:47:00 作者: 来源:ic72 浏览人数:2629 |
|
|
|
缩写字符:HAS 译名:哈里斯公司(美)
H |
M |
1 |
6508 |
B |
2 |
HAS |
系列 |
封装 |
器件 |
种类/产品 |
温度范围 |
音标 |
A:模拟电路; |
0:芯片 |
编号 |
等级种类: |
1:(-55-200)℃; |
|
C:通信电路; |
1:陶瓷双列; |
|
COMS: |
2:(-55-125) ℃; |
|
D:数字电路; |
1B:铜焊的陶瓷双列; |
|
A:10V类; |
4:(-25-85)℃; |
|
F:滤波器; |
2:金属圆壳(TO-5); |
|
B:高速-低功耗; |
5:(0-75)℃; |
|
I:接口电路; |
3:环氧树脂双列; |
|
D:商用的; 没标 |
6:100%25℃抽测 |
|
M:存储器; |
4:芯片载体; |
|
的为一般产品。 |
(小批); |
|
V:高压模拟电路; |
4P:塑料芯片载体; |
|
双极: |
7:表示"5"温度范围 |
|
PL:可编程逻辑; |
5:LCC混合电路 |
|
A:再设计,双金属的 |
的高可靠产品; |
|
Y:多片组合电路。 |
(陶瓷衬底); |
|
P:有功率降额选择的; |
8:MIL-STD-883B产品; |
|
|
7:小型陶瓷双列; |
|
R:锁定输出的; |
9:(-40-85)℃; |
|
|
9:扁平封装。 |
|
RP:有功率降额限 |
9+:(-40-85)℃, |
|
|
|
|
制的锁定输出 |
已老化产品; |
|
|
|
|
没标的为一般产品. |
RH:抗辐射产品。 |
|
|
|
|
产品等级: |
|
|
|
|
|
A:高速; |
|
|
|
|
|
B:甚高速; |
|
|
|
|
|
没标的为一般速度. |
|
部分器件编号: |
0×××:二极管矩阵; |
61××:微处理器; |
63××:CMOS ROM; |
64××:CMOS接口; |
65××:CMOS RAM; |
66××;CMOS PROM; |
67××:COMS EPROM; |
76××;双极 PROM; |
77××:可编程逻辑。 |
|
|
|
80C86系列型号举例说明
M |
D |
82C59A |
S |
/B |
温度 |
封装 |
器件 |
速度(MHz) |
高可靠产品 |
C:商用(0-70)℃; |
P:塑封; |
编号 |
外围电路: |
B:已老化,8次冲击的 |
I:工业用(-40-85)℃; |
D:陶瓷双列; |
|
5:5MHz; |
+:已老化, |
M:军用(-55-125)℃; |
X:芯片; |
|
空白:8MHz; |
工业温度等级; |
X:25℃ 。 |
R:芯片载体(陶瓷); |
|
CPU电路: |
/883:(-55-125)℃; |
|
S :塑料芯片载体。 |
|
空白:5MHz; |
MIL-STD-883产品。 |
|
|
|
2:8MHz。 |
|
微波电路产品的通用符号系列: |
系列: |
封装: |
A:放大器(GaAsFET); |
1:32线金属密封扁平封装; |
D:数字电路(GaAs); |
2:16线金属密封扁平封装; |
F:FET(GaAs); |
3:48线金属密封扁平封装 |
M:单片微波集成电路; |
|
P:高功率FET(GaAs); |
|
R:模拟电路(GaAs); |
|
|
同时生产其它厂家相同型号的产品。 | |
|
|
|
|
|
|
|