国外集成电路命名方法（七） |
| 时间：2005/8/8 9:47:00 作者： 来源：ic72 浏览人数：2629 |
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缩写字符：HAS 译名：哈里斯公司（美）
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H |
M |
1 |
6508 |
B |
2 |
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HAS |
系列 |
封装 |
器件 |
种类/产品 |
温度范围 |
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音标 |
A：模拟电路； |
0：芯片 |
编号 |
等级种类: |
1:(-55-200)℃； |
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C：通信电路； |
1：陶瓷双列; |
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COMS: |
2:(-55-125) ℃； |
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D：数字电路； |
1B：铜焊的陶瓷双列； |
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A:10V类; |
4:（-25-85）℃； |
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F：滤波器； |
2：金属圆壳(TO-5); |
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B:高速-低功耗; |
5：（0-75）℃； |
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I：接口电路； |
3：环氧树脂双列; |
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D:商用的; 没标 |
6：100%25℃抽测 |
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M：存储器； |
4：芯片载体; |
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的为一般产品。 |
（小批）； |
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V：高压模拟电路； |
4P：塑料芯片载体； |
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双极: |
7：表示"5"温度范围 |
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PL：可编程逻辑； |
5：LCC混合电路 |
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A:再设计,双金属的 |
的高可靠产品； |
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Y：多片组合电路。 |
(陶瓷衬底); |
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P:有功率降额选择的; |
8：MIL-STD-883B产品； |
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7：小型陶瓷双列； |
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R:锁定输出的; |
9：（-40-85）℃； |
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9：扁平封装。 |
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RP:有功率降额限 |
9+：（-40-85）℃， |
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制的锁定输出 |
已老化产品； |
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没标的为一般产品. |
RH：抗辐射产品。 |
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产品等级: |
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A:高速; |
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B:甚高速; |
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没标的为一般速度. |
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部分器件编号： |
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0×××：二极管矩阵； |
61××：微处理器； |
63××：CMOS ROM； |
64××：CMOS接口； |
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65××：CMOS RAM； |
66××；CMOS PROM； |
67××：COMS EPROM； |
76××；双极 PROM； |
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77××：可编程逻辑。 |
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80C86系列型号举例说明
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M |
D |
82C59A |
S |
/B |
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温度 |
封装 |
器件 |
速度（MHz） |
高可靠产品 |
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C：商用（0-70）℃； |
P：塑封； |
编号 |
外围电路： |
B：已老化，8次冲击的 |
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I：工业用（-40-85）℃； |
D：陶瓷双列； |
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5：5MHz； |
+：已老化， |
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M：军用（-55-125）℃； |
X：芯片； |
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空白：8MHz； |
工业温度等级； |
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X：25℃ 。 |
R：芯片载体（陶瓷）； |
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CPU电路： |
/883：（-55-125）℃； |
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S ：塑料芯片载体。 |
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空白：5MHz； |
MIL-STD-883产品。 |
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2：8MHz。 |
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微波电路产品的通用符号系列： |
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系列： |
封装： |
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A：放大器（GaAsFET）； |
1：32线金属密封扁平封装； |
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D:数字电路（GaAs）； |
2：16线金属密封扁平封装； |
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F:FET(GaAs)； |
3：48线金属密封扁平封装 |
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M:单片微波集成电路； |
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P：高功率FET（GaAs）； |
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R：模拟电路（GaAs）； |
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同时生产其它厂家相同型号的产品。 | |
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