国外集成电路命名方法(十) |
时间:2005/8/9 9:13:00 作者: 来源:ic72 浏览人数:2479 |
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器件型号举例说明
NE |
5534 |
N |
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首标 |
器件编号 |
封装 |
当有第二位字母时 |
表示温度范围: |
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CK:芯片; |
表示引线数 |
75、N、NE:(0~70)℃ |
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D:微型(SO)塑料; |
B:3; |
(0~75)℃; |
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E:金属壳(TO-46,TO-72) |
C:4; |
55、S、SE: |
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4线封装; |
E:8; |
(-55~125)℃; |
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F:陶瓷浸渍扁平; |
F:10; |
SA:(-40~85)℃; |
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G:芯片载体; |
H:14; |
SU:(-25~85)℃。 |
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H:金属壳(TO-5) |
J:16; |
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8、10线封装; |
K:18 |
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I:多层陶瓷双列; |
L:20; |
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K:TO-3型; |
M:22; |
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N:塑料双列; |
N:24; |
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P:有接地端的微型封装; |
Q:28; |
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Q:多层陶瓷扁平; |
W:40; |
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R:氧化铍多层陶瓷扁平; |
X:44; |
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S:功率单列塑封; |
Y:48; |
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W:陶瓷扁平。 |
Z:50。 |
同时生产与其它公司相同型号的产品。该公司并入PHIN公司。 |
缩写符号:SIEG 译名:西门子公司(德)
TB |
B |
1458 |
A |
GG |
首标 |
温度范围 |
器件编号 |
改进型 |
封装 |
第一字母表示: |
A:没规定范围; |
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首位字母表示封装形式: |
S:单片数字电路; |
B:(0~70)℃; |
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C:圆壳; |
T:模拟电路; |
C:(-55~125)℃ |
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D:双列直插; |
U:模拟/数字混合 |
D:(-25~70)℃; |
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E:功率双列(带散热片); |
电路。 |
E:(-25~85)℃; |
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F:扁平(两边引线); |
第二字母,除"H" |
F:(-40~85)℃。 |
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G:扁平(四边引线); |
表示混合电路外, |
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K:菱形(TO-3); |
其它没明确含义。 |
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M:多列引线(双、三、四列 |
电路系列由两字母加以 |
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除外); |
区分。 |
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Q:四列直插; |
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R:功率四列(带散热片); |
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S:单片直插; |
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T:三列直插。 |
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第二位字母表示封装材料: |
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C:金属-陶瓷; |
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G:玻璃-陶瓷(陶瓷浸渍); |
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M:金属; |
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P:塑料。 |
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(半字符以防前后符号混淆) | |
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