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国外集成电路命名方法(十)

时间:2005/8/9 9:13:00  作者:  来源:ic72  浏览人数:2479
 
 
缩写符号:SIC 译名:西格尼蒂克公司(美)

器件型号举例说明


NE
5534
N
首标 器件编号 封装 当有第二位字母时
表示温度范围:   CK:芯片; 表示引线数
75、N、NE:(0~70)℃   D:微型(SO)塑料; B:3;
(0~75)℃;   E:金属壳(TO-46,TO-72) C:4;
55、S、SE:   4线封装; E:8;
(-55~125)℃;   F:陶瓷浸渍扁平; F:10;
SA:(-40~85)℃;   G:芯片载体; H:14;
SU:(-25~85)℃。   H:金属壳(TO-5) J:16;
    8、10线封装; K:18
    I:多层陶瓷双列; L:20;
    K:TO-3型; M:22;
    N:塑料双列; N:24;
    P:有接地端的微型封装; Q:28;
    Q:多层陶瓷扁平; W:40;
    R:氧化铍多层陶瓷扁平; X:44;
    S:功率单列塑封; Y:48;
    W:陶瓷扁平。 Z:50。
同时生产与其它公司相同型号的产品。该公司并入PHIN公司。

缩写符号:SIEG 译名:西门子公司(德)
器件型号举例说明(与欧共体相一致)
TB
B
1458
A
GG
首标 温度范围 器件编号 改进型 封装
第一字母表示: A:没规定范围;     首位字母表示封装形式:
S:单片数字电路; B:(0~70)℃;     C:圆壳;
T:模拟电路; C:(-55~125)℃     D:双列直插;
U:模拟/数字混合 D:(-25~70)℃;     E:功率双列(带散热片);
电路。 E:(-25~85)℃;     F:扁平(两边引线);
第二字母,除"H" F:(-40~85)℃。     G:扁平(四边引线);
表示混合电路外,       K:菱形(TO-3);
其它没明确含义。       M:多列引线(双、三、四列
电路系列由两字母加以       除外);
区分。       Q:四列直插;
        R:功率四列(带散热片);
        S:单片直插;
        T:三列直插。
        第二位字母表示封装材料:
        C:金属-陶瓷;
        G:玻璃-陶瓷(陶瓷浸渍);
        M:金属;
        P:塑料。
        (半字符以防前后符号混淆)
 
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