IBM推出0.13微米SiGe BiCMOS工艺 |
| 时间：2005/8/12 9:37:00 作者： 来源：ic72 浏览人数：1248 |
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IBM日前宣布推出被称为8HP的第四代硅锗Foundry技术，据称其性能可达到上一代技术的两倍以上。这种全新的130纳米硅锗双极互补金属氧化半导体(SiGe-BiCMOS)Foundry技术可以降低移动消费类电子产品的成本，推动高带宽无线通信的发展，并应用在放撞汽车雷达等创新应用上。
在推出8HP的同时，IBM还推出了一种专为支持无线应用而设计的低成本版本8WL，这一版本可延长电池工作时间并增加了移动手持设备的功能，以推广无线局域网(Wi-Fi)和全球卫星定位技术(GPS)的应用。
IBM系统与科技事业部首席技术专家Bernie Meyerson表示：“硅锗技术对下一代消费类设备和应用的影响正在不断加大。IBM于1989年引入这一技术，芯片设计人员可以通过这一技术提高计算机的性能；多年以来，SiGe提供的高容量硅技术使无线行业发生了革命性的变化。第四代SiGe技术将在全球范围内更广泛地支持无线连接及应用。”
IBM据称是世界上最早提供SiGe BiCMOS技术的公司，自1995年以来已经向客户交付了数以亿计的SiGe器件。CMOS芯片是数字计算应用的基础，而硅锗(SiGe) BiCMOS芯片不仅提供了核心数字计算功能，而且提供了增强的无线电频率通信和模拟功能。
IBM全新的130纳米SiGe BiCMOS技术在各种产品中的应用包括：汽车安全系统，包括用于探测盲区的24GHz雷达以及用于提供碰撞警告或先进巡航控制的77GHz雷达；60GHz Wi-Fi芯片，用于下一代无线个人区域网络(PAN)和骨干网络；用于手机的软件无线电模块(Software
Defined Radio)，可将天线接收的信号直接转换为数字形式；高速模/数和数/模转换器，用于数据获取、直接基带无线电(Direct-to-Baseband Radio)接收器、信号合成等。
据介绍，在130纳米的水平上，IBM的SiGe BiCMOS技术与当前的180纳米SiGe技术相比提供了更高的性能、更低的能耗以及更高的集成度。 这一技术继续保持了与IBM专用集成电路技术平台的兼容，需要芯片代工的客户因而能够导入多种具有知识产权的电路模块和标准单元库组件。此外，130纳米的Foundry平台还包括了一种RF CMOS技术选项，这为IBM的芯片代工客户提供更广泛的选择，其中包括了RF和混合信号应用。
Sierra Monolithics公司董事会主席Charles Harper表示：“Sierra Monolithics选择了IBM的SiGe 8HP技术来支持多种要求苛刻的应用，如高度集成的超高速光纤接口模块组件、高性能数据转换器和60GHz宽带无线收发器。IBM在SiGe技术领域处于业界领先地位，我们的设计人员可以以最快速度向市场推出性能卓著的产品。我们对采用此新一代技术之后将能够实现的新性能及其应用空间感到非常兴奋。” |
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