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IR全新基准MOSFET将封装电流额定值提升60%

时间:2008/12/19 9:42:00  作者:  来源:ic72  浏览人数:3109
 
 

      国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列,适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。

      新器件的封装电流额定值达到195A,比典型封装电流额定值高出60%。新款MOSFET具有更低的导通电阻(RDS(on)),并可使用常用的TO-220、D2PAK和TO-262封装。此外,7管脚D2PAK封装的电流额定值达到240A的卓越水平,使它成为市场上最耐用的表面贴装封装之一。这种7管脚D2PAK封装比D2PAK封装具更低的RDS(on)。

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      全新N信道MOSFET系列提供60V至200V的电压,并达到工业级别及湿度敏感度第一阶(MSL1)标准。新器件均不含铅及符合电子产品有害物质限制指令(RoHS)。

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      新款MOSFET系列已经开始供货。

 
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