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Vishay新款功率MOSFET提供1℃/W热阻

时间:2005/12/29 9:41:00  作者:  来源:ic72  浏览人数:970
 
 

    Vishay Intertechnology公司宣布推出2款功率MOSFET——SiE802DF和SiE800DF,其热阻均为1℃/W,封装的两面均可散热,主要用于电脑使用的DC-DC转换器等产品。

ic72新闻中心---SiE802DF    其中,SiE802DF用于同步整流式DC-DC转换器的低压端,其导通电阻低,在+10V的栅电压下为1.9mΩ,在+4.5V栅电压下为2.6mΩ,最大工作电流为60A;SiE800DF用于高压端,栅电荷为12nC。从导通来说,SiE800DF在+10V的栅电压下为7.2 mΩ,在+4.5V下为11.5 mΩ,源-漏极之间的耐压均为30V。

    这两款产品均采用Vishay公司的“PolarPAK”封装,封装尺寸为5mm×6mm,与普通的SO-8封装相同。据介绍,PolarPAK在封装的上、下两面均设计了散热点,封装内部不易蓄热。因此能够将工作电流的电流密度提高至SO-8的2倍。此外,该公司已向意法半导体(ST)公司提供PolarPAK技术授权。
 
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