Avago Technologies(安华高科技)日前宣布推出系列采用5mm(T-1 3/4)直插式封装的870nm和940nm波长的高功率红外线(IR)LED发射器。这些新型红外线发射器采用高功率铝镓砷化物(AlGaAs)LED技术，具有良好高发光强度、高速率和低正向电压等特性。新产品使用铁质导线架，在多种电流环境下可高效散热。
HSDL-42xx系列红外线发射器适用于消费电子、工业和通信等对更长的红外线收发器连接距离和更高速的数据传输技术有特定需求的领域，主要应用范围包括门禁控制、便携式仪器、红外线光学鼠标、烟雾探测器、红外线局域网(IR LAN)收发器和音频信号连接等。870nm波长的产品通常应用于红外线通信领域，而940nm的则主要应用于遥控领域。
据介绍，HSDL-4250和HSDL-4251的峰值为870nm，在20mA电流下的正向电压仅为1.4V，光学反应升降的时间为40ns。在100mA正向电流时，HSDL-4250的轴线发光强度为180 mW/sr，可视角为15度；而HSDL-4251的可视角为30度，100mA正向电流时，其发光强度为100 mW/sr。
HSDL-4260的峰值为875nm，在100mA电流条件下的标准轴线发光强度为200 mW/sr，可视角为15度，光学反应升降的时间为15ns，在20mA下的正向电压为1.4V。HSDL-4270和HSDL-4271的峰值为940nm，在20mA电流下的正向电压为1.3V，光学反应升降的时间为1.3微秒。HSDL-4270的轴线发光强度为100 mW/sr，可视角为15度；而HSDL-4271则提供30度可视角和50mW/sr的发光强度。
Avago Technologies中国及香港地区总经理李艇先生表示：“目前，制造商们青睐高功率、低正向电压和高速率的红外线发射器，以满足各个应用领域对连接距离和数据传输速率不断增长的需求。” |
