2005年3月，ST与Siliconix就使用PolarPAK技术达成协议。新封装的导线架与塑料密封类似于多数标准功率MOSFET封装，确保了良好的裸片保护与制造的易处理。与标准SO-8相比, PolarPAK 的热耗散非常有效，它能在相同的占位面积内处理两倍电流。

      新器件以ST所有的最新STripFET技术制造，该技术基于提升的单元密度与更小的单元特性，占用了更小的芯片空间，同时实现极低的片上阻抗与损耗。10V时，20A STK800典型的RDS(on) 值为6.0mOhm，30A STK850的RDS(on)值为2.9mOhm。该封装通过提供超低的结到外壳热量阻抗与更低的结温确保两个MOSFET的低片上阻抗特性。

      低电容与总门电荷数，使STK800成为非绝缘DC/DC压降转换器中控制FET的理想选择，而极低的RDS(on)值使STK850成为同步FET解决方案之一。它们的低工作温度确保了更高效率，并增加了寿命可靠性。新的封装改善了裸片保护、确保了制造的易处理，并保持与现有SMD装配设备兼容。器件的多源兼容为客户提供了充足的灵活性。