NOR闪存正面临多种新兴内存技术的挑战，除NAND闪存外，相变内存(PCM)也正苦苦追赶。中国台湾地区工研院IEK分析师陈俊儒日前表示，“最快在2011年，PCM的价格就会赶上NOR闪存，届时DDR迅速取代DRAM的历史可能会在这两种内存上重演，而主要应用领域将集中在通信市场，例如手机。”

      陈俊儒引述国际半导体技术蓝图(ITRS)的2006年预估数据指出，就单元尺寸来看，PCM将在2011年追上NOR闪存，届时将有机会出现大量取代的局面。但他也指出，就单元尺寸微缩进度来看，PCM仍无法取代NAND闪存市场，除非NAND的微缩技术面临极限。

      不过，这仍为PCM刻画了良好前景。陈俊儒说：“从单元尺寸的微缩情况看，2005年PCM、NOR与NAND的单元尺寸分别为0.1400um2、0.06402与0.02312；但预计在2020年，它们的单元尺寸将分别微缩到0.00112、0.00262与0.00072。”

      单元尺寸与芯片制造成本是影响内存每位成本的两大关键要素，PCM大幅减小单元尺寸后，将更具备取代NOR闪存的优势。据市调公司Gartner今年第一季发布资料，2005年NOR闪存营收约72亿美元，其中71.1%集中在通信应用。而随着可携式通信市场发展，对此类内存的需求将持续扩大。

      另外，IC Insights也预估，到2010年，手机对内建内存的需求量将从2005年的256Mb跃升到1Gb以上，而因应影音数据的应用，对数据写入/读取速率的需求也将从现有的64~144Kbps提升到高于10Mbps。这意味着手机对内存的容量及效能需求愈来愈严苛。在可预见的未来，闪存的微缩瓶颈已然浮现，这为新兴内存技术挑战市场提供了新的机会。

      “目前开发PCM的厂商中，以Ovnyx最具技术领导地位，在美国所获取的专利数也最多，”陈俊儒表示。但三星(Samsung)也不容忽视，去年该公司发布了256Mb的PCM，“若以三星现已占据全球最大DRAM、SRAM与NAND闪存供货商排名情况来看，若该公司挑战PCM市场成功，则将囊括所有主流内存市场。”

      而面对大厂以核心技术及专利布局PCM市场态势，陈俊儒指出，中国台湾地区厂商开发Stand-alone PCM将遭遇极大挑战，因此，他建议应更着重在嵌入式PCM领域，以设计简单、非挥发性及大容量的嵌入式PCM切入通信市场；另外，中国台湾地区厂商也应着重于申请新组件架构专利，并以寻求和技术领先厂商相互技术授权的策略布局市场，以避免专利冲突风险，并降低进入PCM市场的困难度。