广晟微电子有限公司(Rising Micro Electronics Co., Ltd)日前宣布，继成功研发出WCDMA射频收发芯片之后，该公司又成功推出了用于中国3G标准TD-SCDMA通信系统射频收发芯片RS1012。此次广晟微电子推出的TD-SCDMA射频通信芯为单片集成，采用了零中频接收技术(Zero IF)和∑-Δ小数分频锁相环技术(∑-Δ fractional N PLL)并拥有独立自主的知识产权。

      RS1012射频收发芯片与外接的功率放大器、射频滤波器和天线开关即可构成无线通信3G TD-SCDMA标准手机的射频前端模块，无需中频SAW滤波器和中频锁相环电路。RS1012可在1880-1900MHz 或2110-2125MHz双频段工作。芯片内接收机通道集成了低噪声放大器，下变频混频器，自动增益放大器，低通滤波器，∑-Δ小数分频锁相环，二倍频压控振荡器，直流偏移自动校准电路，RC自动校准电路及I/Q不平衡自动校准电路。发射机通道集成了具有直流偏移校准功能的低通滤波器，上变频混频器和可变增益放大器。具有集成度高、功能强大、功耗低和性价比高的特点。该款芯片采用7X7mm的QFN48封装。

      广晟微电子总工程师郑卫国表示，“RS1012射频收发芯片采用的是IBM公司0.18微米锗硅BiCMOS工艺，该工艺是目前射频集成电路设计所广泛使用的锗硅工艺库。由于该库的模型准确、元器件多，涵盖了从模拟，数字到数模混合等模块设计所需的各种基本器件，从而加速了我们设计的速度，提高了芯片的设计质量。这次TD-SCDMA射频收发芯片的全部模块从前端设计、仿真到后端版图、GDSII文件，均由本公司的工程师独立完成，保证了我们公司所设计的芯片拥有独立自主的知识产权。而且RS1012射频芯片做到了一次投片成功，增强了设计工程师们的信心。希望通过和IBM公司的合作，特别是采用该公司的0.18微米RF CMOS和BiCMOS工艺，我们公司可以为中国用户提供更多更好的射频集成电路芯片。”