力求在存储控制器逻辑和PHY接口之间定义通用接口的DDR PHY接口(DFI)规范将于EDA和IP供应商Denali Software公司主办的活动中揭开其神秘面纱。
该规范是行业主导公司的合作结晶，在双数据率(DDR)DRAM存储控制器逻辑设计和DDR DRAM物理接口设计之间制定了通用接口，包括Denali在内的这些相关公司表示。该规范将在Santa Clara会展中心举行的MemCon活动中公布。
“用于集成并验证第三方供应商存储控制器逻辑和PHY设计所需的资源对所有相关组织来说都代表着巨大的成本，”英特尔公司移动性分部IP外包项目经理Bryan Jones声称。“从系统的远景看，很有必要打败这种设计IP类型外包的价值观。我们如今拥有了这一领域的专家团队，积极推动能使我们各方都获益的通用规范。”
该存储控制器逻辑和PHY接口象征着在DDR-DRAM存储系统内具有了两种主要的设计元件。两种设计元件之间缺乏标准接口已成为系统开发商、存储控制器供应商和PHY提供商集成和验证费用的重大源头。
DFI规范的目标是定义存储控制器逻辑和PHY接口之间的一种通用接口。除了Denali之外，对该标准作出贡献的半导体组织、IP和EDA公司包括ARM、英特尔、Rambus、三星电子和Synopsys。
“该DFI规范通过为客户提供集成多供应商IP的通用起点简化了存储器设计，”Rambus公司平台解决方案营销总监Rich Warmke表示。
|
