中国·芯片交易在线
首页 | 供应信息 | 求购信息 | 库存查询 | 新闻中心 | 展会资讯 | IC厂商 | 技术资料 | 自由区域
   新闻首页 |  行业动态 | 新品发布 | 政策法规 | 科技成果 | 模拟技术 | 嵌入系统 | 传感控制 | 存储设计  
当前位置:IC72首页>> IC新闻中心>> 模拟技术 >>电子行业新闻正文

宽带互导型放大器MAX435/MAX436

时间:2005/6/15 8:44:00  作者:  来源:ic72  浏览人数:1787
 
 

1 概述

互导型放大器(又称跨导型放大器)的输入信号是电压量,输出信号是电流量,其增益称为互导Gm。 互导型放大器是一种电压/电流模式混合电路,由于其内部只有电压—电流变换级和电流传输级,而没有电压传输级,因此没有大摆幅电压信号和密勒倍增效应,从而具有频带宽、高频性能好及大信号转换速度高等特性。互导型放大器的电路结构简单,电源电压和功耗均得到了降低。

2 主要性能指标

MAX435/MAX436是美国MAXIM公司生产的互导型放大器,MAX435是差分输出型,MAX436是单端输出型,其引脚排列如图1所示。图中Z+、Z-端为用户选择的二端互导元件或网络的阻抗连接端口。ISET端为电源电流控制端,它控制内部电流源。ISET端与负电源V-端之间需连接一个5.9kΩ的外部电阻RSET,当RSET为5.9kΩ时,MAX435每个输出端最大输出电流是±10mA,MAX436是±20mA。在电阻RSET两端需并联0.22μF陶瓷电容以使电流源去耦。当输出负载不需要有源驱动时,可将电阻RSET与 ISET端断开以降低功耗。此时MAX435电源电流可降至约450μAMAX436电源电流降至约850μA。这两款器件均有输出短路保护功能。MAX435/MAX436的主要性能指标如表1所列。

表1 MAX435/MAX436的主要性能指标

参    数 MAX435 MAX436
电源电压V+、V- ±5V ±5V
电源电流Is 35mA 35mA
输入电压范围Vi+、Vi- ±2.5V ±2.5V
输入失调电压VOS 0.3V 0.3V
失调电压温漂ΔVos/ΔT 3.5μV/℃ 3.5μ/℃
输入电阻Ri 800kΩ 700kΩ
输出电压范围Vo+、Vo- ±3.5V ±3.5V
输出阻抗Zo 3.5kΩ 3.3kΩ
输出电流Io ±10mA ±20mA
电流增益K 4.00A/A 4.00A/A
转换速率SR(ZL=25Ω) 550V/μs 550V/μs
-3dB带宽 275MHz 275MHz

表1中的差分输入电压Vi= Vi+- Vi-,Zt为Z+、Z-两端用户连接的二端互导元件或网络的阻抗。差分输入电压Vi会生成流入互导元件Zt的电流(从电路结构上讲Zt是Vi-I变换电路的一部分,Zt与输入电阻Ri是概念上根本不同的两个量),流过互导元件Zt的电流被电路内部预置的电流增益K倍乘,其输出电流为IO=KVi/Zt。选取Zt时应保证Vi最大值与Zt最小值的比值小于2.5mA,这样输出电流才能不超过最大值。定义互导型放大器的互导增益时,假如放大器的负载为RL,则互导型放大器的互导增益Gm=Io/Vi=K/Zt,输出电压Vo=Gm×RL。

3 应用电路

MAX435/MAX436可广泛用于高速仪表放大器、高速滤波器、宽带高增益带通放大器、高速差分传输线路驱动、接收器中。它不象电压型运放那样需要反馈回路及相位补偿。下面列举几个典型电路。

(1)求和放大电路见图2a。Vo=(Gm1+Gm2)RL

(2)低通放大电路见图2b。极点频率FP=1/(2πRLCL),通带增益GB=KRL/Rt。若将Rt改为RC串联电路,即可组成带通放大电路。而若将Rt改为RC串联电路,同时又去掉电容CL,便可组成高通放大电路。若用晶体代替Rt且去掉电容CL,便可组成晶体调谐放大电路,其谐振频率为晶体频率。利用多个MAX436可组成二阶低通、高通、带通滤波器。

(3)视频双绞线驱动/接收器电路,见图3。基带视频信号的传输距离可达1500米。

图3

    (4)利用MAX436实现接地模拟电阻,见图4。图中的输入阻抗Zi由下面的式子导出:

Ii+Io=0

Io=ViK/Rt

Zi=Vi/Ii=Rt/K

而Gm=K/Rt

所以,由上式得出:Zi=1/Gm

(5)利用MAX436实现回转器,见图5。图中的阻抗Zi由下面的式子导出:

I01=ViGm1

Vo=I01ZL

I02=VoGm2=Vi Gm1 Gm2 ZL

Ii=-I02

由上式得出:Zi=Vi/Ii=1/(Gm1 Gm2 ZL)

    输入阻抗Zi等于对端所接阻抗的倒数乘以系数,实现了回转器的功能。若ZL是电容,则Zi为模拟电感。

(6)利用MAX436实现频变负电阻,见图6。由于

I2(S)=Gm3V1(S)

I3(S)=Gm4 I2(S)/SC1

I4(S)=Gm5 I3(S)/SC2

I1(S)+I4(S)=0

从节点A向右看的输入的阻抗为Z′i(S)=V1(S)/I1(S)=(S2C1C2)/(Gm3 Gm4 Gm5)

Z′i(S)具有S2阶次,称为超电感,Gm1、Gm2组成接地回转器,对Z′i作倒置变换,得到输入阻抗为:

Zi(S)=Vi(S)/Ii(S)=(Gm3 Gm4 Gm5)/(S2 C1C2 Gm1Gm2)=1/(S2D)

D=(C1 C2 Gm1 Gm2)/(Gm3 Gm4 Gm5)

    D具有秒·法拉的量纲。若将上面公式中的模拟超电感Z′i(S)经过一个浮地回转器倒置,则可构成浮地频变负电阻。

利用互导放大器的优异性能还可以组成浮地模拟电阻、接地电容倍乘器、浮地电容倍乘器、电压模式积分器、电流模式积分器等电路

 
【相关文章】
·经历降价风波,NAND闪存产品又将“走俏”
·富士通携手爱普生研发高集成FRAM,面向便携设备
·全球磁盘存储市场增势强劲得益于存储虚拟
·超捷推出支持Intel芯片组的4Mb/8Mb串行闪存
·英特尔吓退英飞凌,加剧NOR闪存市场的竞争
·宽带互导型放大器MAX435/MAX436
·全球U盘一半以上深圳造 flash芯片全部信赖进口
·Renesas三重CAM存储器设备
·商用FPGA配置IC应用单片式配置存储器
·SOC设计:IC产业链设计史上的重大革命
·一种专用高速硬盘存储设备的设计与实现
·NAND闪存价格上扬12%,三星称价格不下降
·IDT推出新型DDR2产品
·闪存市场此消彼涨
·Austin Semi的64Mb闪存模块访问时间为90ns
·射频IC、嵌入式存储器和模拟IP将成为DAC热点
·SOC设计:IC产业链设计史上的重大革命
 
 
IC新闻搜索
 
热点新闻
基于红外超声光电编码器的室内移动小车定位系
基于闪烁存储器的TMS320VC5409DSP并行引导装载方法
非移动市场需求飙升,ARM预计2010年出货量超50亿片
一种快速响应的电容式湿度传感器感湿薄膜设计
利用特殊应用模拟开关改进便携式设计
无线传感器网络跨层通信协议的设计
基于ARM9内核Processor对外部NAND FLASH的控制实现
基于GSM技术的汽车防盗系统的设计
热电阻在烟叶初烤炕房温度控制中的应用
高速数据转换系统对时钟和数据传输的性能要求
友情连接
 关于我们  IC论坛  意见反馈  设置首页  广告服务  用户帮助  联系我们
copyright:(1998-2005) IC72 中国·芯片交易在线
(北京)联系电话:(010)82614113、82614123 传真:(010)82614123 客户服务:service@IC72.com 库存上载:IC72@IC72.com
在线MSN咨询:ic72sale8@hotmail.com 通信地址:北京市西城区西直门内大街2号大厦15层 邮政编码:100013
(深圳)联系方式: 在线MSN咨询:ic72sale6@hotmail.com 在线QQ咨询:191232636 通信地址:深圳市福田区振华路
注 册 号: 1101081318959(1-1)

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9