ARM公司日前宣布,通用平台技术业务合作伙伴IBM、特许半导体和三星电子获得ARM Artisan物理IP系列中的Metro低功耗与Advantage高性能产品的授权,用于该技术联盟在45纳米低功耗工艺技术领域的合作。这一ARM库授权协议扩展了四家公司的合作关系,共同保障代工厂客户片上系统(SoC)的设计兼容性及制造灵活性。ARM此前曾宣布与IBM、特许半导体及三星签订65纳米及以下工艺的授权协议,并与IBM和特许半导体签订了90纳米授权协议,迄今都已交付了相关产品。此外,IBM、特许半导体和三星还是ARM Connected Community的成员。
ARM Advantage和Metro产品包括ARM标准单元以及输入/输入口(I/O)和存储器,均支持IBM、特许半导体和三星的45nm低功耗通用平台工艺,并针对消费、通信和网络市场众多应用的低功耗、高性能设计进行了优化。此外,通过45纳米工艺对产品进行了完善,以满足客户不断变幻的需求,应对不断涌现的制造挑战。对产品所作的改进包括: 功率门控和电路部署,可在运行时在所有的存储器内实现对性能和泄漏功率的控制;对ARM标准单元功耗管理套件的设计技术所作的完善,可简化在SoC中运用先进的减耗技术;可编程I/O架构和设计技术,可迅速对I/O环进行动态重置,以满足不断变化的系统要求,实现在多个系统中重复使用相同的SoC。
所有的ARM物理IP均支持多种电压下的计时和功率,可帮助客户对多电压设计进行精确的流片前(pre-tapeout)仿真。此外,ARM Advantage和Metro套件产品提供可与存储器和标准单元模块共同使用的电压级相移和功率门控单元等库组件,以支持先进的功耗管理方式。
ARM Advantage和Metro产品符合ARM设计标准,包括ARM广泛的view和模型,它们可实现与业界许多领先的EDA工具的集成。这些view可在多种操作条件下为Advantage和Metro产品提供功能、计时和功耗信息,帮助设计师在他们的SoC中实现复杂的功耗管理系统,从而主动控制其SoC中的动态和泄漏功耗。
用于IBM、特许半导体和三星45纳米低功耗通用平台技术的ARM Advantage和Metro标准单元和I/O库及存储编译器的初级版本预计将于今年第四季度上市,届时授权客户可从ARM网站http://www.arm.com免费下载。最终版本将于明年第二季度问世。
通用平台联盟
通用平台联盟是IBM、特许半导体和三星在半导体行业首创的合作模式,重点是共同开发领先的数字CMOS工艺技术和先进的制造。通用平台技术模式进一步得到综合生态系统的支持,包括EDA、IP和设计服务领域中的合作伙伴。该生态系统帮助代工厂客户轻松地将芯片设计提供给多家300毫米代工厂,将设计工作量最小化,并实现前所未有的灵活性和选择性。基于IBM、特许半导体和三星共同开发的工艺技术,通用平台可提供90纳米、65纳米和45纳米的产品。
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