本文介绍了目前应用比较广泛的存储器。

      简称：Cache

      标准：Cache Memory

      中文：高速缓存

      高速缓存是随机存取内存(RAM)的一种，其存取速度要比一般RAM来得快。当中央处理器(CPU)处理数据时，它会先到高速缓存中寻找，如果数据因先前已经读取而暂存其中，就不需从内存中读取数据。由于CPU的运行速度通常比主存储器快，CPU若要连续存取内存的话，必须等待数个机器周期造成浪费。所以提供“高速缓存”的目的是适应CPU的读取速度。如Intel的Pentium处理器分别在片上集成了容量不同的指令高速缓存和数据高速缓存，通称为L1高速缓存(Memory)。L2高速缓存则通常是一颗独立的静态随机存取内存(SRAM)芯片。

      简称：DDR

      标准：Double Date Rate

      中文：双倍数据传输率

      DDR系统时脉为100或133MHz，但是数据传输速率为系统时脉的两倍，即200或266MHz，系统使用3.3或3.5V的电压。因为DDR SDRAM的速度增加，因此它的传输效能比同步动态随机存取内存(SDRAM)好。

      简称：DIMM

      标准：Dual in Line Memory Module

      中文：双直列内存条

      DIMM是一个采用多块随机存储器(RAM)芯片(Chip)焊接在一片PCB板上模块，它实际上是一种封装技术。在PCB板的一边缘上，每面有64叫指状铜接触条，两面共有168条。DIMM可以分为3.3V和5V两种电压，这其中又有含缓冲器以及不含缓冲器两种，目前比较常见的是3.3V含缓冲器类型，而DIMM还需要一个抹除式只读存储器(EPROM)供基本输出入系统(BIOS)储存各种参数，让芯片组(Chipset)达到最佳状态。

      简称：DRAM

      标准：Dynamic Random Access Memory

      中文：动态随机存储器

      一般计算机系统使用的随机存取内存(RAM)可分动态与静态随机存取内存(SRAM)两种，差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存，SRAM的数据则不需要刷新过程，在上电期间，数据不会丢失。

      简称：ECC

      标准：Error Checking and Correction）

      在处理单位作错误侦测和改正所有的单一位的误差，也可以作双位或多位的误差核对与改正。

      简称：EDO DRAM

      标准：Extend Data Out Dynamic Random Access Memory

      中文：EDO动态随机存储器

      EDO DRAM也称为Hyper Page Mode DRAM，这是一种可以增加动态随机存取内存(DRAM)读取效能的存储器，为了提高EDO DRAM的读取效率，EDO DRAM可以保持资料输出直到下一周期CAS#之下降边缘，而EDO DRAM的频宽由100个兆字节(MB)增加到了200MB。

      简称：EEPROM

      标准：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory

      中文：电子抹除式只读存储器

      非挥发性存储器。电源撤除后，储存的信息(Data)依然存在，在特殊管脚上施加电压，同时输出相应命令，就可以擦除内部数据。典型应用于如电视机、空调中，存储用户设置的参数。

      这种存储器支持再线修改数据，每次写数据之前，必须保证书写单元被擦除干净，写一个数据的大约时间在2-10ms之间。支持单字节单元擦除功能。

      简称：EPROM

      标准：Erasable Programmable Read-Only Memory

      中文：紫外擦除只读存器

      非挥发性存储器。不需要电力来维持其内容，非常适合用作硬件当中的基本输出入系统(BIOS)。允许使用者以紫外线消除其中的程序重复使用。

      这种存储器不支持再线修改数据。

      简称：Flash

      标准：Memory

      中文：闪烁存储器

      非挥发性存储器。是目前在可在线可改写的非挥发性存储器中容量最大的存储器。支持再线修改数据，写数据的速度比EEPROM提高1个数量级。

      Flash应用于大容量的数据和程序存储，如电子字典库、固态硬盘、PDA上的操作系统等。

      简称：FeRAM

      标准：Ferroelectric random access memory

      中文：铁电存储器

      相对于其它类型的半导体技术而言，铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。易失性的存储器包括静态存储器SRAM（static random access memory)和动态存储器DRAM （dynamic random access memory)。 SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据。 RAM 类型的存储器易于使用、性能好，可是它们同样会在掉电的情况下会失去所保存的数据。

      非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。然而所有的主流的非易失性存储器均源自于只读存储器（ROM）技术。 正如你所猜想的一样，被称为只读存储器的东西肯定不容易进行写入操作，而事实上是根本不能写入。所有由ROM技术研发出的存储器则都具有写入信息困难的特点。这些技术包括有EPROM (几乎已经废止）、EEPROM和Flash。 这些存储器不仅写入速度慢，而且只能有限次的擦写，写入时功耗大。

      铁电存储器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁--一种非易失性的RAM。

      简称：MRAM

      标准：Magnetoresistive Random Access Memory

      中文：磁性随机存储器

      磁性随机存储器是正在开发阶段的，基于半导体(1T)和磁通道(magnetic tunnel junction-MTJ)技术的固态存储介质，属于非挥发性芯片。主要开发厂商有IBM、Infineon(英飞凌)、Cypress和Motorola(摩托罗拉)。其擦写次数高于现有的Flash存储器，可达1015，读写时间可达70nS。

      简称：RAM

      标准：Random Access Memory

      中文：随机存储器

      随机存取内存，是内存(Memory)的一种，由计算机CPU控制，是计算机主要的储存区域，指令和资料暂时存在这里。RAM是可读可写的内存，它帮助中央处理器 (CPU ) 工作，从键盘 (Keyboard ) 或鼠标之类的来源读取指令，帮助CPU把资料 (Data) 写到一样可读可写的辅助内存 (Auxiliary Memory) ，以便日后仍可取用，也能主动把资料送到输出装置，例如打印机、显示器。 RAM的大小会影响计算的速度，RAM越大，所能容纳的资料越多，CPU读取的速度越快。

      简称：RDRAM

      标准：Rambus DRAM

      中文：Rambus动态随机存储器

      这是一种主要用于影像加速的内存 (Memory ) ，提供了1000Mbps的传送速率，作业时不会间断，比起动态随机存取内存 (DRAM ) 的200mbps更加快速，当然价格比要DRAM贵。虽然RDRA无法完全取代现有内存，不过因为总线 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM与静态随机存取内存 (SRAM ) 。 SDRAM的运算速度为100赫兹 (Hz ) ，制造商展示的RDRAM则可达600MHz，内存也只有8或9位 (bit ) 长，若将RDRAM并排使用，可以大幅增加频宽 (Bandwidth) ，将内存增为32或64位。

      简称：ROM

      标准：Read Only Memory

      中文：只读存储器

      只读存储器，这种内存 (Memory ) 的内容任何情况下都不会改变，计算机与使用者只能读取保存在这里的指令，和使用储存在ROM的数据，但不能变更或存入资料。 ROM被储存在一个非挥发性芯片上，也就是说，即使在关机之后记忆的内容仍可以被保存，所以这种内存多用来储存特定功能的程序或系统程序。 ROM储存用来激活计算机的指令，开机的时候ROM提供一连串的指令给中央处理单元进行测试，在最初的测试中，检查RAM位置(location)以确认其储存数据的能力。此外其它电子组件包括键盘 (Keyboard ) 、计时回路(timer circuit)以及CPU本身也被纳入CPU的测试中。

      简称：SDRAM

      标准：Synchronous Dynamic RAM

      中文：同步动态随机存储器

      SDRAM的运作时脉和微处理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比EDO 动态记忆模块 (EDO DRAM ) 的速度还快，采用3.3V电压(EDO DRAM为5V)，168个接脚，还可以配合中央处理器 (CPU ) 的外频 (External Clock) ，而有66与100MHz不同的规格，100MHz的规格就是大家所熟知的PC100内存 (Memory ) 。

      简称：SIMM

      标准：Single In-Line Memory Module

      中文：单直列内存模块

      内存(Memory )模块的概念一直到80386时候才被应用在主机板(Mother Board)上，当时的接脚主要为30个，可以提供8条资料 (Data) 存取线 (Access Line)，一次资料存取 (Access)为32个字节，所以分为四条一组，因此80386以四条为一个单位。而今一条SIMM为72Pins，不过只能提供32字节的工作量，但是外部的数据总线(Data Bus)为64字节(bite)，因此一个主机板上必须有两条SIMM才足以执行庞大的资料(Data)处理工作。

      简称：SRAM

      标准：Static Random Access Memory

      中文：静态随机存储器

      SRAM制造方法与动态随机存取内存(DRAM )不同，每个位使用6个晶体管(transistor)组成，不需要不断对晶体管周期刷新以保持数据丢失，其存取时间较短控制电路简单，但制造成本较高，单片难以做到DRAM那样容量。

      简称：VCM SDRAM

      标准：Virtual Channel Memory SDRAM

      中文：虚拟信道存储器

      1999年由于SDRAM在市场上大为缺货，而由日本NEC恩益禧搭配一些主机板厂商及芯片组 (Chipset)业者，大力推广所谓的VCM模块技术，而为消费者广为接受，日本NEC更希望一举将VCM的规格推向工业级标准。VCM内存规格是以SDRAM为基础观念所开发出的新产品，并加强原有的SDRAM功能。昔日的SDRAM须等待中央处理器(CPU)处理完资料或VGA卡处理完资料后，才能完整地送至SDRAM做进一步的处理，然而VCM的内部区分为16条虚拟信道Virtual Channel），每一个信道都负责一个单独的memory master，因此可以减少内存(Memory)接口的负担，进而增加计算机使用者使用效率。 目前为全球第四大内存模块厂商的宇瞻科技与日本NEC技术合作，在台湾推出以PC133 (PC133) VCM内存模块为设计的笔记型计算机，由于VCM技术可以减少内存接口的负担，以及本身低耗电的特性，相当适合笔记型计算机的运用，品质与一般个人计算机相较之下毫不逊色。