国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)近日推出一款新型的DirectFET MOSFET芯片组。新品可配合IR近期发布的IR2086S全桥总线转换器集成电路，使直流总线转换器达到最高效率。这款芯片组可以提供完善的总线转换器解决方案，在比四分之一砖转换器还要小29%的电路板面积上，实现效率高达97%的336W功率。

    IRF6646和IRF6635适用于隔离式DC-DC转换器总线转换器的固定48V和36V到60V输入桥式电路拓扑、同步降压非隔离式DC-DC电路拓扑、针对移动通信的18V到36V输入正激和推挽式转换器，以及调节式输出隔离式DC-DC应用中的次级同步整流。IR的新芯片组方案只有6个MOSFET (4个初级和2个次级)和1个单独的集成电路，节省功率半导体零件数达46%。此外，以这种芯片组制成的隔离式总线转换器DC-DC能有效节省多达29%的占板空间，更可提升工作效率1.5%。

    IRF6646 80V MOSFET的最大导通电阻为9.5mΩ，可针对初级桥式电路拓扑进行定制。IRF6635 30V MOSFET的最大导通电阻为1.8mΩ ，是特别为次级同步整流优化的。这组MOSFET可与最新面世的IR2086S全桥直流总线转换器集成电路和现有的IRF6608 30V DirectFET MOSFET结合起来用作次级栅钳位。

    最新的80V IRF6646和30V IRF6635 DirectFET MOSFET同步降压芯片组符合RoHs标准，不含铅或溴化物，现已供货，以一万片计算，IRF6646与IRF6635的单价分别为1.37美元和1.50美元，价格可能会有变动。