“NAND和NOR价格波动很大，因此我们必须三思而行。”他表示。“显然，高端、高密度领域挑战性非常大，需要大笔投资，而且这项技术发展较快。”

      他承认，商品类NOR市场中的机会可能有限。这可能促使联电在嵌入NOR领域扩展业务，类似于它在3月与赛普拉斯达成的交易。赛普拉斯计划把0.13微米S8嵌入闪存技术和未来两代嵌入闪存技术转让给联电。联电亦将为赛普拉斯生产高级SRAM，首款产品将在今年稍晚的时候以65纳米工艺生产。

      在CPU方面，似乎联电也将采取步步为营的策略，避免生产领先CPU所需的大量资源投资。“说实话，如果你想瞄准面向台式电脑的高端绝缘硅(SOI)，该目标可能过于遥远。”他说。“因此我们将生产bulk CMOS，这会自动过渡到低功率处理器。”

      联电目前正在开发一种SOI工艺，预计在今年稍晚的时候在65纳米节点上推出。胡国强表示：“我们相信，未来可能达到32纳米节点，SOI将变得更加重要，因此从技术开发角度来看，我们需要获得这些技术与经验。”

      胡国强表示，同向130纳米节点的过渡一样，由于采用了新材料和新设备，向45纳米的转变也将充满挑战。

      尽管对联合工艺开发的参与程度提高，但联电将继续单独行动。他说：“合作开发有其自身的局限性，因为每家公司都有自己的重点。”

      此外，胡国强还谈到了晶圆代产业中的整合问题，称迫切需要进行整合。

      胡国强表示，联电希望扩大在中国大陆的业务，请求台湾当局允许它与苏州和舰科技进行更密切的合作。联电在和舰科技中持有15%的股权。